[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 202210096669.X | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114864436A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 西部幸伸 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 禹超;黄健 |
| 地址： | 日本神奈川县横浜市荣区笠间二*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置，处理具有翘曲的基板，且所述基板处理装置包括：
搬送辊，将在与所述基板的搬送方向正交的宽度方向上隔开地设置的两个作为一组，沿着所述基板的搬送方向设置有多组，支撑所述基板的凹面侧来搬送所述基板；
第一轴，将在所述宽度方向上隔开地设置的两根作为一组，沿着所述基板的搬送方向设置有多组，安装有所述搬送辊；以及
流体供给部，向所述基板的凹面供给流体，
所述流体供给部从在所述宽度方向上隔开的所述搬送辊之间向所述基板的凹面供给流体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述基板的所述凹面具有形成有图案的图案形成区域、以及位于所述图案形成区域的外周的未形成有图案的非图案形成区域，
在所述宽度方向上，各组的所述搬送辊的隔开距离比所述图案形成区域的宽度长。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
按压辊，按压所述基板的凸面；以及
第二轴，安装有所述按压辊。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述按压辊以隔着所述基板的搬送路径而隔开地与所述搬送辊的组分别相向的方式配置，
与所述搬送路径垂直的方向上的所述搬送辊与所述按压辊的隔开距离在所述搬送辊的各组之间一定。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述流体供给部在所述宽度方向上具有多个喷出部，
多个所述喷出部各别地可变地设置要喷出的处理液的流量。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述流体供给部在所述宽度方向上具有多个喷出部，
与配置于靠近各组的两个所述搬送辊的一侧的所述喷出部相比，配置于所述宽度方向上的中央侧的所述喷出部的处理液的喷出量更多。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其特征在于，所述流体供给部具有在沿着所述搬送方向的方向上延伸的多个管，
多个所述管在所述宽度方向上排列地配置，
所述喷出部设置于所述管，
通过调整在所述管中流动的所述处理液的流量，增多从所述喷出部喷出的所述处理液的流量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
