[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202210095461.6 | 申请日: | 2022-01-26 |
公开(公告)号: | CN114843309A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 宋贤奎;郑铉澔;崔喆铉;丁喜星;洪相玟 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其中,包括:
基板;
显示要件,配置于所述基板上;
封盖层,配置于所述显示要件上;
所述封盖层上的第一辅助层;以及
所述第一辅助层上的薄膜封装层,
所述薄膜封装层包括:
所述第一辅助层上的第1-1无机封装层;以及
所述第1-1无机封装层上的第1-2无机封装层,
所述第一辅助层的折射率分别小于所述封盖层的折射率以及所述第1-1无机封装层的折射率,
所述第1-2无机封装层的折射率小于所述第1-1无机封装层的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述封盖层的折射率为1.6以上且2.3以下。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述封盖层的厚度为50nm以上且150nm以下。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一辅助层的折射率为1.2以上且小于1.6。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一辅助层的厚度为20nm以上且100nm以下。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一辅助层包含氟化锂或者氮氧化硅。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第1-1无机封装层的折射率为1.7以上且2.0以下。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第1-1无机封装层的厚度为100nm至200nm。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述第1-1无机封装层包含氮化硅或者氮氧化硅。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第1-2无机封装层的折射率为1.5以上且小于1.7。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第1-2无机封装层的厚度为400nm以上。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第1-2无机封装层包含氮氧化硅。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述薄膜封装层还包括配置于所述第1-2无机封装层上的缓冲层,所述缓冲层的厚度为30nm以上且100nm以下。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,
所述薄膜封装层还包括配置于所述缓冲层上的第二辅助层,所述缓冲层的折射率为所述第二辅助层的折射率和所述第1-2无机封装层的折射率之间。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,
所述缓冲层的折射率n3满足以下条件:
min(n1,n2)+|n2-n1|×0.25n3min(n1,n2)+|n2-n1|×0.75,其中,n1表示第1-2无机封装层的折射率,n2表示第二辅助层的折射率,min(n1,n2)表示n1和n2中的最小值,|n2-n1|表示n2和n1之差的绝对值。
16.根据权利要求14所述的显示装置,其中,
所述薄膜封装层还包括配置于所述第二辅助层上的有机封装层以及配置于所述有机封装层上的第二无机封装层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的