[发明专利]动态存储器及SOC芯片在审
| 申请号： | 202210094244.5 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN116234298A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张筱宁;王存霞 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 动态 存储器 soc 芯片 | ||
1.一种动态存储器，包括衬底和设置在所述衬底上的多个存储单元，其特征在于，所述存储单元包括：
下层MOS管组件，设置在所述衬底上，包括第一MOS管和第二MOS管，所述衬底的材料包括硅；
上层MOS管组件，设置在所述下层MOS管组件上，包括第三MOS管和第四MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述第三MOS管的漏极电连接，所述第二MOS管的栅极与所述第四MOS管的漏极电连接；
两条读字线，设置在所述衬底上，分别与所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极电连接；
读位线，设置在所述衬底上，与所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极电连接；
两条写字线，分别与所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极电连接；
写位线，与所述第三MOS管的源极和所述第四MOS管的源极电连接；
其中，所述第一MOS管和所述第二MOS管共用源极，所述第三MOS管和所述第四MOS管共用源极。
2.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述第三MOS管和所述第四MOS管为金属氧化物半导体管，所述金属氧化物的材料包括ITO、IWO或IGZO。
3.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极通过接触点与所述读位线电连接。
4.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述第一MOS管包括第一漏极，所述第二MOS管包括第二漏极，所述读字线包括第一读字线和第二读字线，所述第一漏极通过通孔与所述第一读字线电连接，所述第二漏极通过通孔与所述第二读字线电连接。
5.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述第三MOS管和所述第四MOS管的源极通过接触点与所述写位线电连接。
6.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述第三MOS管包括第三栅极，所述第四MOS管包括第四栅极，所述写字线包括第一写字线和第二写字线；
所述第一写字线复用为所述第三栅极；和/或，所述第二写字线复用为所述第四栅极。
7.根据权利要求1至6中任意一所述的动态存储器，其特征在于，所述第一MOS管包括第一栅极，所述第二MOS管包括第二栅极，所述第三MOS管包括第三漏极，所述第四MOS管包括第四漏极；
所述第一栅极与所述第三漏极通过通孔电连接，所述第二栅极与所述第四漏极通过通孔电连接。
8.根据权利要求1至6中任意一所述的动态存储器，其特征在于，所述第一MOS管包括第一栅极，所述第二MOS管包括第二栅极，所述第三MOS管包括第三漏极，所述第四MOS管包括第四漏极；
所述第一栅极通过多个金属块与所述第三漏极电连接，所述第二栅极通过多个金属块与所述第四漏极电连接。
9.一种SOC芯片，其特征在于，包括权利要求1至8中任意一项所述的动态存储器。
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