[发明专利]一种高熔点聚酰胺及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种高熔点聚酰胺的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

S1、酰胺盐溶液于温度为200–240℃、压力为14.8–33.1kg/cm²G的条件下进行预聚反应；

S2、步骤S1中预聚反应产物于160–230℃进行蒸发；

S3、将经过步骤S2蒸发后的预聚反应产物进行缩聚反应得到，其中缩聚反应温度控制在聚酰胺高分子的结晶温度(Tc)低20℃以上，且在其熔融温度(Tm)以下；

所述酰胺盐溶液包含以100摩尔的二元酸为计量，同时还包含添加量为100–110摩尔的二元胺、0.1–3摩尔的封端剂和0.1–2摩尔的催化剂。

2.根据权利要求1所述高熔点聚酰胺的制备方法，其特征在于，步骤S1中预聚反应时间为1小时。

3.根据权利要求1所述高熔点聚酰胺的制备方法，其特征在于，进一步包含将步骤S3中缩聚反应产物破碎为颗粒状的S4步骤，且于第一反应器中进行。

4.根据权利要求3所述高熔点聚酰胺的制备方法，其特征在于，进一步包含将步骤S4中破碎为颗粒状的缩聚反应产物输送至所述第一反应器外的S5步骤，并于批次式反应器或连续式反应器中进行。

5.根据权利要求1所述高熔点聚酰胺的制备方法，其特征在于，所述二元酸选自芳香族二元酸中的一种或两种以上混合，或者选自芳香族二元酸与脂肪族二元酸的混合物，且芳香族二元酸的占比大于45摩尔％；

和/或所述二元胺选自碳数为4–12的脂肪族二胺；

和/或所述封端剂为具有单一羧酸且无胺基的化合物；

和/或所述催化剂选自磷酸、亚磷酸、次磷酸或其盐类。

6.根据权利要求5所述高熔点聚酰胺的制备方法，其特征在于，所述二元酸选自包含对苯二甲酸或间苯二甲酸的含苯环芳香族二甲酸化合物，占二元酸单体的45摩尔％以上，其余为不大于55摩尔％具有两个羧酸的脂肪族二元酸化合物。

7.根据权利要求5所述高熔点聚酰胺的制备方法，其特征在于，所述二元胺包括但不限于1,4-丁二胺、1,6-己二胺、1,8-辛二胺、1,9-壬二胺、1,10-癸二胺、1,11-十一烷二胺、1,12-十二烷二胺、2-甲基-1,5-戊二胺、3-甲基-1,5-戊二胺、2,2,4-三甲基-1,6-己二胺、2,4,4-三甲基-1,6-己二胺、5-甲基-1,9-壬二胺；

和/或所述封端剂选自包含苯甲酸的芳香族化合物或醋酸的脂肪族化合物。

8.根据权利要求5所述高熔点聚酰胺的制备方法，其特征在于，步骤S3中缩聚反应温度控制在聚酰胺高分子的结晶温度±20℃之间，且在其熔融温度以下。

9.一种高熔点聚酰胺，通过权利要求1至8任一项所述高熔点聚酰胺的制备方法得到，其相对黏度在2.2–2.6的范围内。

10.权利要求9所述高熔点聚酰胺及其制品在采用表面贴合技术组装电路板的电子连接器中的应用。