[发明专利]声学装置封装结构

说明书

本发明提出了一种声学装置封装结构，包括电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；声学装置，与电路基板的第一表面之间形成间隙，声学装置在面向电路基板的第一表面的表面具有IDT电极；凸块，声学装置通过凸块设置在电路基板的第一表面；连接电极，凸块通过连接电极与声学装置电耦合；连接电极在面向凸块的一侧，设置有凹槽，凹槽用于与凸块的外沿形状配合。本发明的声学装置封装结构，在实现电气滤波特性的基础上，可实现声学装置纤薄化和小型化，并通过缩短芯片之间的连接距离能够减少信号丢失，从而显著改善声学装置可靠性。

技术领域

本发明涉及声表面波技术领域，具体而言，涉及一种表面声波滤波器封装方法及封装结构。

背景技术

目前，在诸如移动电话的通信设备中，滤波器设备被用于将发送信号与接收信号之类的具有不同频带的另一信号分离。随着更多的通信频段为国家或全球使用，并且对过滤器性能的要求不断“收紧”，对改进带外滤波器的需求和更陡峭的裙带的努力是不懈追求的。当前最先进的射频滤波器技术基于微波电声技术由于其小尺寸和制造成本低，同时提供卓越的性能。

当今占主导地位的射频滤波器技术是表面声波(SAW)技术，由于其稳健性、设计灵活性以及低成本的特性。但体积日益缩小的终端设备，促使声学装置的体积必须能够满足体积小的要求。如何提供一种新的封装方法和封装结构，使得体积上接近晶圆级封装得到的芯片，但成本又远远低于晶圆级封装；或体积比覆膜封装得到的芯片体积小，而成本比较接近，成为亟待解决的问题。

发明内容

为了解决现有技术中的相关问题，本发明提供了一种声学装置封装结构，包括电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；声学装置，与所述电路基板的第一表面之间形成间隙，所述声学装置在面向所述电路基板的第一表面的表面具有IDT电极；凸块，所述声学装置通过所述凸块设置在所述电路基板的第一表面；连接电极，所述凸块通过所述连接电极与所述声学装置电耦合；所述连接电极在面向所述凸块的一侧，设置有凹槽，所述凹槽用于与所述凸块的外沿形状配合。

进一步地，所述连接电极为单层，在所述声学装置内部与所述IDT电极电耦合。

其中，所述凹槽具有方形截面。

其中，所述凹槽具有圆形截面。

其中，所述凹槽的截面的最底部，距离所述声学装置不超过2um。

进一步地，所述连接电极为双层，包括衬垫层和IDT电极层，所述衬垫层设置在靠近所述凸块的一侧，所述IDT电极层设置在远离所述凸块的一侧。

其中，所述凹槽设置在所述衬垫层的面向所述凸块的一侧。

其中，所述凹槽具有方形截面。

其中，所述凹槽具有圆形截面。

其中，所述凹槽截面的最底部，距离所述IDT电极层不超过2um。

其中，所述凹槽截面的最底部，延伸至所述IDT电极层。

更进一步地，所述凹槽设置在所述IDT电极层的面向所述衬垫层的一侧，用于与所述衬垫层的外沿形状配合。

其中，所述凹槽截面的最底部，距离所述声学装置不超过2um。

其中，所述凹槽截面的最底部，延伸至所述声学装置。

再进一步地，本发明还提供了制造如权利要求1所述的声学装置封装结构的方法，包括：提供压电基板，具有相对设置的上表面和下表面，在所述压电基板的上表面形成IDT电极，所述IDT电极为厚度均匀的梳齿电极；在所述压电基板的上表面形成连接电极，所述连接电极的面向凸块的一侧形成凹槽；将凸块连接于所述凹槽中，从而所述凹槽与所述凸块的外沿形状配合；提供电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；将所述压电基板的上表面与所述电路基板的第一表面相对设置，贴装，形成所述声学装置封装结构。