[发明专利]声学装置封装结构在审
| 申请号： | 202210088675.0 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114448381A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 王阳;吴洋洋;曹庭松;陆彬 | 申请（专利权）人： | 北京超材信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64;H03H9/145 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;李建忠 |
| 地址： | 102600 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 声学 装置 封装 结构 | ||
1.一种声学装置封装结构，包括电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；
声学装置，与所述电路基板的第一表面之间形成间隙，所述声学装置在面向所述电路基板的第一表面的表面具有IDT电极；
凸块，所述声学装置通过所述凸块设置在所述电路基板的第一表面；
连接电极，所述凸块通过所述连接电极与所述声学装置电耦合；其特征在于：
所述连接电极在面向所述凸块的一侧，设置有凹槽，所述凹槽用于与所述凸块的外沿形状配合。
2.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述连接电极为单层，在所述声学装置内部与所述IDT电极电耦合。
3.根据权利要求2所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述凹槽具有方形截面。
4.根据权利要求2所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述凹槽具有圆形截面。
5.根据权利要求3或4所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述凹槽的截面的最底部，距离所述声学装置不超过2um。
6.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述连接电极为双层，包括衬垫层和IDT电极层，所述衬垫层设置在靠近所述凸块的一侧，所述IDT电极层设置在远离所述凸块的一侧。
7.根据权利要求6所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述凹槽设置在所述衬垫层的面向所述凸块的一侧。
8.根据权利要求7所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述凹槽具有方形截面。
9.根据权利要求7所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述凹槽具有圆形截面。
10.根据权利要求7所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述凹槽截面的最底部，距离所述IDT电极层不超过2um。
11.根据权利要求7所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述凹槽截面的最底部，延伸至所述IDT电极层。
12.根据权利要求6所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述凹槽设置在所述IDT电极层的面向所述衬垫层的一侧，用于与所述衬垫层的外沿形状配合。
13.根据权利要求6所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述凹槽截面的最底部，距离所述声学装置不超过2um。
14.根据权利要求6所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述凹槽截面的最底部，延伸至所述声学装置。
15.一种制造如权利要求1所述的声学装置封装结构的方法，包括：
提供压电基板，具有相对设置的上表面和下表面，在所述压电基板的上表面形成IDT电极，所述IDT电极为厚度均匀的梳齿电极；
在所述压电基板的上表面形成连接电极，所述连接电极的面向凸块的一侧形成凹槽；
将凸块连接于所述凹槽中，从而所述凹槽与所述凸块的外沿形状配合；
提供电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；
将所述压电基板的上表面与所述电路基板的第一表面相对设置，贴装，形成所述声学装置封装结构。
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