[发明专利]一种射频功率放大器

权利要求书

1.一种射频功率放大器，其特征在于，包括功率放大模块和转换模块，所述功率放大模块包括第一端口、第一晶体管和第二端口，所述转换模块与所述第一晶体管的栅极连接，还与所述第一晶体管的源极连接，还与所述第一端口连接；

所述功率放大模块，用于对接收到的射频信号进行功率放大；

当所述射频功率放大器处于信号发射状态时，所述转换模块用于控制所述第一晶体管处于共源极工作，以使得所述第一端口为射频信号的输入端，所述第二端口为射频信号的输出端；

当所述射频功率放大器处于信号接收状态时，所述转换模块用于控制所述第一晶体管处于共栅极工作，以使得所述第二端口为射频信号的输入端，所述第一端口为射频信号的输出端。

2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述转换模块包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元和第四开关单元；

所述第一开关单元与所述第一端口连接，还与所述第一晶体管的栅极连接，所述第二开关单元与所述第一晶体管的源极连接，还与接地端连接，所述第三开关单元与所述第一端口连接，还与所述第一晶体管的源极连接，所述第四开关单元与所述第一晶体管的栅极连接，还与接地端连接；

当所述射频功率放大器处于信号发射状态时，所述转换模块用于控制所述第一开关单元和所述第二开关单元处于导通状态，以及控制所述第三开关单元和所述第四开关单元处于断开状态，以使得所述第一端口与所述第一晶体管的栅极之间处于连通状态，且所述第一端口与所述第一晶体管的源极之间处于断开状态，且所述第一晶体管的源极接地；

当所述射频功率放大器处于信号接收状态时，所述转换模块用于控制所述第一开关单元和所述第二开关单元处于断开状态，以及控制所述第三开关单元和所述第四开关单元处于导通状态，以使得所述第一端口与所述第一晶体管的源极之间处于连通状态，且所述第一端口与所述第一晶体管的栅极之间处于断开状态，且所述第一晶体管的栅极接地。

3.如权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一开关单元包括第二晶体管和第三端口；

所述第二晶体管的栅极与所述第三端口连接，所述第二晶体管的漏极与所述第一端口连接，所述第二晶体管的源极与所述第一晶体管的栅极连接。

4.如权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第二开关单元包括第三晶体管和第四端口；

所述第三晶体管的栅极与所述第四端口连接，所述第三晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第三晶体管的源极接地。

5.如权利要求4所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第三开关单元包括第四晶体管和第五端口；

所述第四晶体管的栅极与所述第五端口连接，所述第四晶体管的漏极与所述第一端口连接，所述第四晶体管的源极与所述第一晶体管的栅极连接。

6.如权利要求5所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第四开关单元包括第五晶体管和第六端口；

所述第五晶体管的栅极与所述第六端口连接，所述第五晶体管的漏极与所述第一晶体管的栅极连接，所述第五晶体管的源极接地。

7.根据权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管为同一类型的晶体管。

8.根据权利要求7所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管为耗尽型晶体管。

9.根据权利要求8所述的射频功率放大器，其特征在于，分别通过所述第三端口和所述第四端口加0V电压，以使得所述第一开关单元和所述第二开关单元处于导通状态；

分别通过所述第五端口和所述第六端口加预设电压值的电压，以使得所述第三开关单元和所述第四开关单元处于断开状态，其中，所述预设值小于等于预设阈值。

10.根据权利要求8所述的射频功率放大器，其特征在于，分别通过所述第三端口和所述第四端口加预设电压值的电压，以使得所述第一开关单元和所述第二开关单元处于断开状态，其中，所述预设值小于等于预设阈值；

分别通过所述第五端口和所述第六端口加0V电压，以使得所述第三开关单元和所述第四开关单元处于导通状态。