[发明专利]芯片验证测试用例随机约束的管理和重用方法、存储介质在审
申请号: | 202210085226.0 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN114492257A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 马骁 | 申请(专利权)人: | 杭州云合智网技术有限公司 |
主分类号: | G06F30/33 | 分类号: | G06F30/33 |
代理公司: | 上海洞见未来专利代理有限公司 31467 | 代理人: | 苗绘 |
地址: | 311200 浙江省杭州市萧山区萧山经济技*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 验证 测试 随机 约束 管理 重用 方法 存储 介质 | ||
本发明公开了一种芯片验证测试用例随机约束的管理和重用方法,包含如下步骤:创建随机约束的基类;将配置对象的数据成员传递到该基类中;对基类进行派生,获取若干独立的封装类;创建随机约束的类队列,各个封装类通过调用接口加入类队列;创建包含随机约束的配置对象的基类;基于配置对象的基类创建配置对象,并声明例化封装类和随机约束的类队列,调用随机约束的接口方法将需要的封装类加入随机约束的类队列,最终实现配置对象的随机约束求解。本发明能够根据项目需要,由验证开发人员通过方便地调用随机约束的开关接口方法,轻松得到目标随机约束的合法区间值,从而实现对随机约束程序块的管理控制和代码的重用,大大提升了项目开发效率。
技术领域
本发明涉及芯片验证技术领域,特别涉及一种芯片验证测试用例随机约束的管理和重用方法和存储介质。
背景技术
在芯片验证工作中,往往需要对RTL(Register Transfer Level,寄存器传输级)设计的配置对象或者施加的输入激励进行随机,然后运行相应的测试用例以期望通过随机发现一些RTL设计中潜在的问题。但并不是完全的随机,需要约束限制其随机的值在合法的区间范围(符合RTL设计规则的区间值),以使得RTL设计模块工作在正常的状态(符合RTL设计规则的工作模式状态)或者得到有效合法的输入激励,否则可能会得到无效的配置或激励,那么运行测试用例则失去了测试验证该RTL设计的意义。
在基于UVM的典型验证平台架构中的随机约束的过程中,对配置对象config和输入激励sequence进行随机,以配置DUT(Device Under Test,被测器件)在随机的工作状态,并施加给DUT一个随机的激励来仿真测试。
示例如下:
DUT的配置对象dut_config,其中主要的成员有三个:(1)DUT的工作模式dut_mode,是一个枚举数据类型。(2)DUT的访问地址addr,位宽为32位。(3)DUT访问数据宽度size,整型,配合addr来进行使用。
进而,对上述三个成员变量增加随机约束,采用三个随机约束程序块:(1)dut_mode_c,用来对DUT的工作模式进行约束,指定其随机后的dut_mode合法值为DUT_MODE1或DUT_MODE2。(2)addr_permit_c,用来对DUT的有效访问地址进行约束,且根据DUT的工作模式的不同,其访问地址的合法区间范围会有所不同。(3)addr_prohibit_c,用来对DUT的无效访问地址进行约束,且只有DUT在DUT_MODE1工作模式下,该约束才会生效。
通常在对DUT进行验证时,会配置多种不同的配置对象,以使得该DUT工作在不同的场景下,从而更全面地对DUT进行验证,因此一个很常见的开发需求是增删或修改上述三个随机约束程序块。
针对上述情况,现有技术中采用的方案是对上述配置对象dut_config_constraint类进行派生,产生其子类,如dut_config_constraint2,再在该子类中重新编写随机约束程序块,然后使用UVM的factory机制的重载功能,用子类dut_config_constraint2来替换其父类dut_config_constraint,从而实现对原先的随机约束的增删或修改。
测试用例的build_phase中使用UVM的factory机制的重载功能,例如通过调用set_type_override_by_type方法,来实现对其父类dut_config_constraint的替换,从而最终实现对原先的随机约束的增删或修改。
但是现有技术中存在如下两个缺陷:
(1)不能实现对随机约束程序块的控制管理和重用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州云合智网技术有限公司,未经杭州云合智网技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210085226.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。