[发明专利]降低集成电路放大器噪声的电路及其降噪方法在审

专利信息
申请号: 202210080789.0 申请日: 2022-01-24
公开(公告)号: CN114421897A 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 张明 申请(专利权)人: 江苏润石科技有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26
代理公司: 重庆市诺兴专利代理事务所(普通合伙) 50239 代理人: 卢玲
地址: 214135 江苏省无锡市新吴区弘毅路*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 降低 集成电路 放大器 噪声 电路 及其 方法
【说明书】:

发明提出一种降低集成电路放大器噪声的电路及其降噪方法。所述降低集成电路放大器噪声的电路,包括:第一调节电路、滤波电路和第二调节电路;所述第一调节电路包括带隙基准电源BG、集成电路放大器EA、N沟道场效晶体管M2和电阻数模转换电路RDAC,所述带隙基准电源BG的输出端VBG与所述集成电路放大器EA的反相输入端连接,集成电路放大器EA的输出端与N沟道场效晶体管M2的栅极连接,所述电阻数模转换电路RDAC包括电阻R1和电阻R2,所述电阻R1的一端与所述N沟道场效晶体管M2的漏极连接。本发明通过第一调节电路、滤波电路和第二调节电路的配合,能够降低集成电路放大器噪声的电路能显著降低低压差稳压电路的整体噪声,实用价值高。

技术领域

本发明属于微电路技术领域,尤其涉及一种降低集成电路放大器噪声的电路及其降噪方法。

背景技术

近年来,电源管理电路的设计取得飞速发展,尤其是低压差稳压电路,总体上来说,在设备小型化,多功能化的总发展趋势下,电子产品的稳定运行就离不开低压差稳压电路。

现有的低压差稳压电路的设计主要:运算放大器模块、基准电压模块、功率管模块、保护电路模块、瞬态响应模块以及反馈网络模块等。其中运算放大器的要求是高增益,大带宽,功率管在MOS工艺中主要分为NMOS与PMOS,最为常见的就是PMOS,基准电压模块常常采用三极管补偿所设计的带隙基准电路,保护模块主要有过温保护模块与过流保护模块,瞬态响应模块主要响应输出端的瞬态负载跳变保证输出快速恢复稳定。

然而,现有的低压差稳压电路往往采用三极管带隙基准电路设计,这种电路结构较为复杂,使得电源抑制比受运算放大器模块影响较大,且其需要运算放大器和启动电路,从而导致噪声较大。而且在实际运用过程中运算放大器要对接收到的信号进行放大,而且在放大的过程中不可避免地引入了大量噪声。基于此,就低压差稳压电路来说,如何提供一种降低集成电路放大器噪声的电路及其降噪方法是本领域技术人员亟需解决的技术难题。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提出一种降低集成电路放大器噪声的电路,其特征在于,包括:第一调节电路、滤波电路和第二调节电路;

所述第一调节电路包括带隙基准电源BG、集成电路放大器EA、N沟道场效晶体管M2和电阻数模转换电路RDAC,所述带隙基准电源BG的输出端VBG与所述集成电路放大器EA的反相输入端连接,集成电路放大器EA的输出端与N沟道场效晶体管M2的栅极连接,所述电阻数模转换电路RDAC包括电阻R1和电阻R2,所述电阻R1的一端与所述N沟道场效晶体管M2的漏极连接,所述电阻R1的另一端、所述电阻R2的一端均与所述集成电路放大器EA的同相输入端,所述电阻R2的另一端接地,所述N沟道场效晶体管M2的源极、所述集成电路放大器EA的电源输入端与直流电源VDD连接;所述N沟道场效晶体管M2的栅极与源极之间串联有电阻R3和电容C1;所述电阻数模转换电路RDAC与数字控制信号连接,用于改变所述电阻R1、所述电阻R2的比例;

所述滤波电路包括RC低通滤波器,所述N沟道场效晶体管M2的漏极与所述RC低通滤波器的输入端连接;

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