[发明专利]降低集成电路放大器噪声的电路及其降噪方法

权利要求书

1.一种降低集成电路放大器噪声的电路，其特征在于，包括：第一调节电路、滤波电路和第二调节电路；

所述第一调节电路包括带隙基准电源BG、集成电路放大器EA、N沟道场效晶体管M₂和电阻数模转换电路RDAC，所述带隙基准电源BG的输出端V_BG与所述集成电路放大器EA的反相输入端连接，集成电路放大器EA的输出端与N沟道场效晶体管M₂的栅极连接，所述电阻数模转换电路RDAC包括电阻R₁和电阻R₂，所述电阻R₁的一端与所述N沟道场效晶体管M₂的漏极连接，所述电阻R₁的另一端、所述电阻R₂的一端均与所述集成电路放大器EA的同相输入端，所述电阻R₂的另一端接地，所述N沟道场效晶体管M₂的源极、所述集成电路放大器EA的电源输入端与直流电源V_DD连接；所述N沟道场效晶体管M₂的栅极与源极之间串联有电阻R₃和电容C₁；所述电阻数模转换电路RDAC与数字控制信号连接，用于改变所述电阻R₁、所述电阻R₂的比例；

所述滤波电路包括RC低通滤波器，所述N沟道场效晶体管M₂的漏极与所述RC低通滤波器的输入端连接；

所述第二调节电路包括集成运放AMP和N沟道场效晶体管M₁，所述RC低通滤波器的输出端与所述集成运放AMP的反相输入端连接，所述集成运放AMP的输出端与所述N沟道场效晶体管M₁的栅极连接，所述N沟道场效晶体管M₁的源极、所述集成运放AMP的电源输入端与直流电源V_DD连接；所述集成运放AMP的同相输入端、所述N沟道场效晶体管M₁的漏极与输出端V_OUT连接；

所述集成电路放大器EA、所述集成运放AMP的另一电源输入端接地。

2.根据权利要求1所述的一种降低集成电路放大器噪声的电路，其特征在于，所述带隙基准电源BG包括N沟道场效晶体管M₃、N沟道场效晶体管M₄、差分放大器VT₁、三极管Q₁和三极管Q₂；所述N沟道场效晶体管M₃的源极、N沟道场效晶体管M₄的源极均与电源V_CC连接，所述N沟道场效晶体管M₃的栅极与所述N沟道场效晶体管M₄的栅极连接，且所述N沟道场效晶体管M₃的栅极还与所述差分放大器VT₁的输出端连接，所述N沟道场效晶体管M₃的漏极分别与所述差分放大器VT₁的反向输入端、所述三极管Q₁的发射极连接，所述三极管Q₁的基极与集电极、所述三极管Q₂的基极与集电极均接地；所述三极管Q₂的发射极串联电阻R₄，所述电阻R₄的另一端分别与所述差分放大器VT₁的同相输入端、电阻R₅连接，所述电阻R₅与所述N沟道场效晶体管M₄的的漏极连接。

3.根据权利要求2所述的一种降低集成电路放大器噪声的电路，其特征在于，所述带隙基准电源BG的输出端V_BG连接在所述电阻R₅与所述N沟道场效晶体管M₄的的漏极之间。

4.根据权利要求2所述的一种降低集成电路放大器噪声的电路，其特征在于，所述三极管Q₁和所述三极管Q₂均为PNP型三极管。