[发明专利]一种二甲基二氯硅烷水解物裂解及环体精馏真空工艺

说明书

本发明公开了一种二甲基二氯硅烷水解物裂解及环体精馏真空工艺,包括以下步骤：①冷凝处理：利用冷凝介质对二甲基硅氧烷混合环体进行冷凝处理,冷凝形成混合环体冷凝液和混合环体不凝气，混合环体冷凝液进入到收集罐内,混合环体不凝气则从尾气冷凝罐的顶部排出；②洗涤处理：将混合环体不凝气引入到洗涤塔内的下部。利用洗涤液对混合环体不凝气进行洗涤处理，得到洁净尾气和环体洗涤水，得到的环体洗涤水一部分输送至洗涤塔内循环使用，另一部分输送至产品槽内，而洁净尾气则从输送至缓冲罐内，经过真空机组抽真空后送入焚烧装置进行焚烧处理。本发明不仅有效的保证了工艺系统的稳定运行，减少了热能的消耗，而且大幅的提高了环体的回收率。

技术领域

本发明属于有机硅生产工艺技术领域，具体涉及一种二甲基二氯硅烷水解物裂解及环体精馏真空工艺。

背景技术

二甲基二氯硅烷水解物在高真空、高温条件下裂解生产二甲基硅氧烷混合环体，二甲基硅氧烷混合环体包括六甲基环三硅氧烷（简称D3）、八甲基环四硅氧烷（简称D4）、十甲基环五硅氧烷（简称D5）、十二甲基环六硅氧烷（简称D6）等环体，将上述的二甲基硅氧烷混合环体经过环体精馏，根据需要将D3、DMC（主要成分为D4和D5，以及微量D3）、D5采用真空精馏进行分离，实现其再利用。但在二甲基二氯硅烷水解物和环体裂解的过程中均要保持高真空度，需要配套设置专门的抽真空系统。所以，需要将二甲基二氯硅烷水解物裂解产生的大量低沸点物质（主要是水、空气、六甲基环三硅氧烷（简称D3）、八甲基环四硅氧烷（简称D4）等，随配套真空机组收集后排放至外部系统，维持裂解系统始终处于高真空环境。目前，由于该类低沸点物质中六甲基环三硅氧烷（简称D3）的常压凝固点仅为64℃，八甲基环四硅氧烷（简称D4）常压凝固点仅的17.2℃，这类低沸点物质在较低温度的真空环境下，极易造成设备、管道堵塞，引起设备故障，同时造成系统真空波动，影响系统稳定开车，造成分离质量不稳定。在现有的技术中，为了确保二甲基二氯硅烷水解物裂解时真空系统稳定运行，一般将裂解产生的真空尾气采用热水进行冷凝，之后将冷凝带出的物料进行回收，这样一方面可以回收八甲基环四硅氧烷（简称D4）、十甲基环五硅氧烷（简称D5）等高沸点物料，另一方面保证六甲基环三硅氧烷（简称D3）不被冷凝凝固，从而堵塞设备、管道。如专利CN202110858553.0提出将二甲基二氯硅烷水解物裂解过程中产生气体经过换热器换热至60～80℃，再经过悬液分离罐进行分离，然后用罗茨真空机组进行一级抽真空，之后再用换热器将气体温度控制在7～95℃，最后采用罗茨真空机组进行二次抽真空，采用两组换热器的条件控制，既能维持裂解系统的高真空，又能保证六甲基环三硅氧烷（简称D3）不结晶或结晶量小不影响真空机组运行。该方法通过温度控制，能在一定程度上解决裂解抽真空尾气堵塞问题，但仍然存在如六甲基环三硅氧烷（简称D3）、八甲基环四硅氧烷（简称D4）等有价值物料随真空机组带出量较大，造成物料浪费的情况，而且采用2级换热器进行冷凝，换热温度控制难度大，能耗消耗大，无形中增加了运行成本。因此，研制开发一种工艺简单、能耗低、可显著提高环体的回收率、且能保证系统稳定运行的二甲基二氯硅烷水解物裂解及环体精馏真空工艺是客观需要的。

发明内容

为了解决背景技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种工艺简单、能耗低、可显著提高环体的回收率、且能保证系统稳定运行的二甲基二氯硅烷水解物裂解及环体精馏真空工艺。

本发明所述的二甲基二氯硅烷水解物裂解及环体精馏真空工艺,包括以下步骤：

①冷凝处理：将二甲基二氯硅烷水解物裂解过程中产生的温度大于110℃的二甲基硅氧烷混合环体通过进气管线通入到尾气冷凝罐内,然后通过螺旋冷凝管向尾气冷凝罐内通入冷凝介质，冷凝介质的进口温度控制在70～90℃,利用冷凝介质对二甲基硅氧烷混合环体进行冷凝处理,使二甲基硅氧烷混合环体冷凝形成混合环体冷凝液和混合环体不凝气，混合环体冷凝液的出口温度为50～60℃，冷凝形成的混合环体冷凝液从尾气冷凝罐的底部排出通过液体管线进入到收集罐内,而混合环体不凝气则从尾气冷凝罐的顶部排出；