[发明专利]半导体装置在审

申请号：	202210077719.X	申请日：	2022-01-24
公开（公告）号：	CN115810599A	公开（公告）日：	2023-03-17
发明（设计）人：	杉山亨;吉冈启;矶部康裕	申请（专利权）人：	株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号：	H01L23/488	分类号：	H01L23/488;H01L23/498;H01L25/18
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	牛玉婷
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	半导体装置
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

实施方式提供能够减小寄生电感的半导体装置。在实施方式中，第1型的第1芯片具有：包含第1导电型的氮化物半导体层的第1半导体层、在第1面设置的第1电极焊盘、在第1面设置的第2电极焊盘、在第1面设置的第1栅极焊盘、在第1面设置的第3电极焊盘。与第1型不同的第2型的第2芯片具有：包含第2导电型的沟道的第2半导体层、在第3面的相反侧的第4面设置的第4电极焊盘、在与第1芯片的第1面对置的第3面设置且与第1芯片的第2电极焊盘接合的第5电极焊盘和在第3面设置且与第1芯片的第3电极焊盘接合的第2栅极焊盘。

相关申请的交叉引用

本申请享有以日本专利申请2021－148366号(申请日：2021年9月13日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

通常在功率器件中，要求在栅极没有输入信号的情况下为断开的状态(常断开)。例如使用了氮化镓(GaN)的HEMT(高电子迁移率晶体管，High Electron MobilityTransistor)在构造上具有下述特性，即，在栅极没有输入信号的情况下为导通的状态(常导通)。因此，提出了将GaNHEMT和常断开的硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor)级联连接而在封装内组合的功率器件。

发明内容

实施方式提供能够减小寄生电感的半导体装置。

根据实施方式，半导体装置具备：第1型的第1芯片，所述第1芯片具有第1面、所述第1面的相反侧的第2面、包含第1导电型的氮化物半导体层的第1半导体层、在所述第1面设置的第1电极焊盘、在所述第1面设置的第2电极焊盘、在所述第1面设置的第1栅极焊盘、在所述第1面设置的第3电极焊盘；以及第2芯片，所述第2芯片是在所述第1芯片的所述第1面上设置的与所述第1型不同的第2型的第2芯片，具有与所述第1芯片的所述第1面对置的第3面、所述第3面的相反侧的第4面、包含第2导电型的沟道的第2半导体层、在所述第4面设置的第4电极焊盘、在所述第3面设置且与所述第1芯片的所述第2电极焊盘接合的第5电极焊盘、在所述第3面设置且与所述第1芯片的所述第3电极焊盘接合的第2栅极焊盘。

附图说明

图1是第1实施方式及第2实施方式的半导体装置的等效电路图。

图2是第1实施方式的半导体装置的示意立体图。

图3是第1实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图4是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图5是表示HEMT的一个例子的示意剖视图。

图6是第2实施方式的半导体装置的示意立体图。

图7是第2实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图8是第2实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图9是第3实施方式的半导体装置的等效电路图。

图10是第3实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图11是第3实施方式的半导体装置的示意俯视图。