[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

第1型的第1芯片，所述第1芯片具有：第1面、所述第1面的相反侧的第2面、包含第1导电型的氮化物半导体层的第1半导体层、在所述第1面设置的第1电极焊盘、在所述第1面设置的第2电极焊盘、在所述第1面设置的第1栅极焊盘、在所述第1面设置的第3电极焊盘；以及

第2芯片，是在所述第1芯片的所述第1面上设置的与所述第1型不同的第2型的第2芯片，所述第2芯片具有：与所述第1芯片的所述第1面对置的第3面、所述第3面的相反侧的第4面、包含第2导电型的沟道的第2半导体层、在所述第4面设置的第4电极焊盘、在所述第3面设置且与所述第1芯片的所述第2电极焊盘接合的第5电极焊盘、在所述第3面设置且与所述第1芯片的所述第3电极焊盘接合的第2栅极焊盘。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具有：与所述第1栅极焊盘电连接的第1栅极端子、与所述第2电极焊盘电连接的电源端子、与所述第3电极焊盘电连接的第2栅极端子，

所述第2电极焊盘在与所述第1面平行的第1方向上位于所述第1栅极焊盘与所述第3电极焊盘之间，

所述电源端子在所述第1方向上位于所述第1栅极端子与所述第2栅极端子之间。

3.一种半导体装置，其中，具备：

第1型的第1芯片，所述第1芯片具有：第1面、所述第1面的相反侧的第2面、包含第1导电型的氮化物半导体层的第1半导体层、在所述第1面设置的第1电极焊盘、在所述第1面设置的第2电极焊盘、在所述第1面设置的第1栅极焊盘；以及

第2芯片，是在所述第1芯片的所述第1面上设置的与所述第1型不同的第2型的第2芯片，所述第2芯片具有：与所述第1芯片的所述第1面对置的第3面、所述第3面的相反侧的第4面、包含第2导电型的沟道的第2半导体层、在所述第3面设置且与所述第1芯片的所述第2电极焊盘接合的第3电极焊盘、在所述第3面设置的第2栅极焊盘、在所述第4面设置的第4电极焊盘、在所述第4面设置的第3栅极焊盘、将所述第3面与所述第4面之间贯通且将所述第2栅极焊盘与所述第3栅极焊盘电连接的连接部件。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

还具有：与所述第1栅极焊盘电连接的第1栅极端子、与所述第2电极焊盘电连接的电源端子、与所述第3栅极焊盘电连接的第2栅极端子，

所述电源端子在与所述第1面平行的第1方向上位于所述第1栅极端子与所述第2栅极端子之间。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第1芯片包含HEMT即高电子迁移率晶体管，

所述第2芯片包含p沟道型的MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管。