[发明专利]一种铯铪氯闪烁晶体的制备方法在审
| 申请号： | 202210076428.9 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114606570A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 朱京涛;屠洛涔;陈溢祺;吴朱超;周新宇;王添随 | 申请（专利权）人： | 科晶瑞思（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B7/08;G01T1/202 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 苏张林 |
| 地址： | 215400 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铯铪氯 闪烁 晶体 制备 方法 | ||
1.一种Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，
S1、将CsCl和HfCl4加入到酸性溶液中搅拌加热至75-85℃，得到前驱体溶液；所述酸性溶液为盐酸溶液；
S2、将S1步骤所述前驱体溶液加热，后进行分步骤降温、生长，得到所述Cs2HfCl6闪烁晶体；所述分步骤降温分为两次，一次降温是以4-6℃/h的速率降温至35-45℃；二次降温是以0.1-2℃/h的速率降温至25-30℃。
2.根据权利要求1所述的Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法，其特征在于，在S1步骤中，所述CsCl和HfCl4的摩尔比为2-3：1。
3.根据权利要求1所述的Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法，其特征在于，在S1步骤中，所述酸性溶液的摩尔浓度为1.06-2.15mol/L。
4.根据权利要求1所述的Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法，其特征在于，在S1步骤中，所述搅拌的转速为400-800r/min；所述搅拌的时间为4-12h。
5.根据权利要求1所述的Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法，其特征在于，在S1步骤中，还包括对得到的前驱体溶液进行过滤的步骤，所述过滤用的滤嘴孔径为1-5μm。
6.根据权利要求1所述的Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法，其特征在于，在S2步骤中，所述加热为55-65℃加热30-90min。
7.根据权利要求1所述的Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法，其特征在于，在S2步骤中，所述生长的时间为5-15天。
8.根据权利要求1所述的Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法，其特征在于，还包括对所述Cs2HfCl6闪烁晶体进行气枪清洗。
9.根据权利要求8所述的Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法，其特征在于，所述气枪的气体为氮气。
10.权利要求1-9任一项所述方法制备的Cs2HfCl6闪烁晶体，其特征在于，所述Cs2HfCl6闪烁晶体的长和宽分别为4-10mm，厚度为2-5mm。
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