[发明专利]一种集成电路离子注入掺杂工艺

说明书

本发明公开了一种集成电路离子注入掺杂工艺，涉及电路离子注入技术领域。该集成电路离子注入掺杂工艺，包括以下步骤：S1，确定离子的电荷数和荷质比，然后通过控制箱将掺杂气体通入离子源进行电离；S2，由离子源系统产生无金属杂质的离子束；S3，根据单个注入离子的电荷数和注入离子剂量，在剂量控制系统中设定设备所参考的离子注入总剂量；S4，由引出系统通过引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室；S5，离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子。该集成电路离子注入掺杂工艺，通过设置防护架，在灰尘下落时可以通过防护架进行阻隔，避免灰尘落在控制箱上方，再通过设置连接板，对侧边的灰尘进行简单的防护，避免散热隔网被堵塞。

技术领域

本发明涉及电路离子注入技术领域，具体为一种集成电路离子注入掺杂工艺。

背景技术

离子注入机是高压小型加速器中的一种，应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制膜等。

离子注入机一般由控制箱控制启动一级功能调节，传统的控制箱散热孔设置在控制箱顶部，没有保护装置，可能会导致灰尘堆积影响正常散热，从而可能会使内部的零部件损坏，造成更大的损失，所以我们提出了一种集成电路离子注入掺杂工艺。

发明内容

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种集成电路离子注入掺杂工艺，包括以下步骤。

S1，确定离子的电荷数和荷质比，然后通过控制箱将掺杂气体通入离子源进行电离；

S2，由离子源系统产生无金属杂质的离子束；

S3，根据单个注入离子的电荷数和注入离子剂量，在剂量控制系统中设定设备所参考的离子注入总剂量；

S4，由引出系统通过引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室；

S5，离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子。

优选的，所述控制箱顶部设置有防护装置，所述防护装置包括防护架，所述防护架底部固定连接有支撑架，所述支撑架表面与控制箱表面固定连接，所述防护架内部设置有阻隔机构和晃动机构。

优选的，所述阻隔机构包括拉绳一，所述拉绳一与防护架内壁固定连接，所述拉绳一外表面固定连接有连接板，所述连接板左端固定连接有十组导流板，所述连接板内部开设有五个吹风孔，所述连接板表面固定连接有拉环。

优选的，所述晃动机构包括连接架，所述连接架顶部固定连接有连接杆，所述连接杆顶部通过转轴与防护架内壁转动连接，所述连接架右端固定连接有两个固定板，所述连接架内壁固定连接有弹力膜，所述弹力膜表面与两个固定板固定连接，所述连接架下端设置有固定件。

优选的，所述阻隔机构的数量为两组，两组所述阻隔机构以防护架中轴处为中心对称设置，两个所述拉绳一分别均与弹力膜表面固定连接。

优选的，所述固定件包括固定架和拉绳二，所述固定架顶部中轴处开设有连通孔，所述固定架底部两端均固定连接有防护板，两个所述防护板内部均开设有开口，所述拉绳二顶部与连接架表面固定连接，所述拉绳二下端设置有连接球，所述连接球下端开设有连通槽，所述拉绳二下端与连通槽内壁固定连接，所述拉绳二底部固定连接有弹力绳，所述拉绳二底部与控制箱顶部固定连接。

本发明提供了一种集成电路离子注入掺杂工艺。具备以下有益效果：

1、该集成电路离子注入掺杂工艺，通过设置防护架，在灰尘下落时可以通过防护架进行阻隔，避免灰尘落在控制箱上方，再通过设置连接板，可以对侧边的灰尘进行简单的防护，避免出现散热隔网被堵塞的情况发生。