[发明专利]一种集成电路离子注入掺杂工艺

权利要求书

1.一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：包括以下步骤，

S1，确定离子的电荷数和荷质比，然后通过控制箱(1)将掺杂气体通入离子源进行电离；

S2，由离子源系统产生无金属杂质的离子束；

S3，根据单个注入离子的电荷数和注入离子剂量，在剂量控制系统中设定设备所参考的离子注入总剂量；

S4，由引出系统通过引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室；

S5，离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：所述控制箱(1)顶部设置有防护装置(2)，所述防护装置(2)包括防护架(21)，所述防护架(21)底部固定连接有支撑架(22)，所述支撑架(22)表面与控制箱(1)表面固定连接，所述防护架(21)内部设置有阻隔机构(23)和晃动机构(24)。

3.根据权利要求2所述的一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：所述阻隔机构(23)包括拉绳一(233)，所述拉绳一(233)与防护架(21)内壁固定连接，所述拉绳一(233)外表面固定连接有连接板(231)，所述连接板(231)左端固定连接有十组导流板(234)，所述连接板(231)内部开设有五个吹风孔(232)，所述连接板(231)表面固定连接有拉环(235)。

4.根据权利要求3所述的一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：所述晃动机构(24)包括连接架(241)，所述连接架(241)顶部固定连接有连接杆(242)，所述连接杆(242)顶部通过转轴与防护架(21)内壁转动连接，所述连接架(241)右端固定连接有两个固定板(243)，所述连接架(241)内壁固定连接有弹力膜(244)，所述弹力膜(244)表面与两个固定板(243)固定连接，所述连接架(241)下端设置有固定件(245)。

5.根据权利要求4所述的一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：所述阻隔机构(23)的数量为两组，两组所述阻隔机构(23)以防护架(21)中轴处为中心对称设置，两个所述拉绳一(233)分别均与弹力膜(244)表面固定连接。

6.根据权利要求4所述的一种集成电路离子注入掺杂工艺，其特征在于：所述固定件(245)包括固定架(2451)和拉绳二(2452)，所述固定架(2451)顶部中轴处开设有连通孔，所述固定架(2451)底部两端均固定连接有防护板(2453)，两个所述防护板(2453)内部均开设有开口(2454)，所述拉绳二(2452)顶部与连接架(241)表面固定连接，所述拉绳二(2452)下端设置有连接球(2455)，所述连接球(2455)下端开设有连通槽(2456)，所述拉绳二(2452)下端与连通槽(2456)内壁固定连接，所述拉绳二(2452)底部固定连接有弹力绳(2457)，所述拉绳二(2452)底部与控制箱(1)顶部固定连接。