[发明专利]基于磁化微不对称磁芯群体镜像匹配的零点偏置抑制方法

权利要求书

1.一种基于磁化微不对称磁芯群体镜像匹配的零点偏置抑制方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1. 利用磁芯的磁滞回线特性，计算出用以制作n个磁调制器的2n个磁芯的磁化特性评估指标IK_i，i=1,2，...，2n；

S2. 将所述2n个磁芯的序号记录在数组Index中；

S3. 计算任意两个磁芯C_p与C_q间的磁化特性评估指标差值与，并将计算结果记录在差值矩阵Dev中；

S4. 依据所述差值矩阵Dev与磁调制器零点偏置目标I_L，计算每一个磁芯C_i的匹配难度系数D_i；

S5. 在所述数组Index中，优先挑选具有最大所述匹配难度系数的磁芯C_x进行配对；其次，在剩余磁芯中选出所述匹配难度系数最大，且与所述磁芯C_x间的所述评估指标差值小于所述磁调制器零点偏置目标I_L的磁芯C_y；

S6. 所述磁芯C_x与所述磁芯C_y是配对成功的一对磁芯，将其序号x与y记录在矩阵PList中；若步骤（5）中未找到满足要求的所述磁芯C_y，则将所述磁芯C_x的序号记录在UPList中；

S7. 将所述磁芯C_x或者将所述磁芯C_x和所述磁芯C_y的序号从所述数组Index中移除，重复步骤（5）与步骤（6），直至所述数组Index为空。

2.如权利要求1所述的一种基于磁化微不对称磁芯群体镜像匹配的零点偏置抑制方法，其特征在于，所述步骤S1中所述磁滞回线特性由饱和磁感应强度Bs、剩磁Br、饱和磁场强度Hs以及矫顽力Hc四个参数来表征，因此磁芯的所述磁化特性评估指标IK_i定义为：

；

其中，上式中的k₁、k₂、k₃与k₄分别是四个参数的权重因子，其具体值与磁芯选用的材料有关，对于不同的磁芯，其饱和磁感应强度Bs、剩磁Br、饱和磁场强度Hs以及矫顽力Hc不同。

3.如权利要求1所述的一种基于磁化微不对称磁芯群体镜像匹配的零点偏置抑制方法，其特征在于，所述步骤S2中所述数组Index被定义为：

。

4.如权利要求1所述的一种基于磁化微不对称磁芯群体镜像匹配的零点偏置抑制方法，其特征在于，所述步骤S3中两个磁芯C_p与C_q间的磁化特性评估指标差值与的表达式为：

；

基于2n个磁芯，将计算得到2n(2n-1)个所述评估指标差值，进一步将所有的所述评估指标差值记录在所述差值矩阵Dev中，所述差值矩阵Dev表达式为：

。

5.如权利要求1所述的一种基于磁化微不对称磁芯群体镜像匹配的零点偏置抑制方法，其特征在于，所述步骤S4中每一个磁芯C_i的所述匹配难度系数D_i的表达式为：

；

其中，Q_i为磁芯C_i的基础匹配难度系数，其为所述差值矩阵Dev中第i列所述评估指标差值小于所述磁调制器零点偏置目标I_L的数目；I_i为磁芯C_i的附加匹配难度系数，其为所述差值矩阵Dev中第i列所述评估指标差值的平均值。

6.如权利要求1所述的一种基于磁化微不对称磁芯群体镜像匹配的零点偏置抑制方法，其特征在于，所述步骤S5中具有最大所述匹配难度系数D_x的所述磁芯C_x是当前所有待配对磁芯中情况最差的一个磁芯。

7.如权利要求1所述的一种基于磁化微不对称磁芯群体镜像匹配的零点偏置抑制方法，其特征在于，所述步骤S5中所述磁芯C_x与所述磁芯C_y是配对成功的一对磁芯，由所述磁芯C_x与所述磁芯C_y组成的磁调制器将具有较低水平的零点偏置。