[发明专利]处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法

说明书

本发明提供能够抑制颗粒产生并且实现放电稳定化的处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法。本发明的处理容器用于构成等离子体处理装置，能够在内部收纳基片并对所述基片进行等离子体处理，所述处理容器的特征在于：在所述处理容器中的被暴露于等离子体的第一内侧面的至少一部分上形成有第一绝缘膜，在至少保护所述第一内侧面不受等离子体影响的保护面材中的与所述第一绝缘膜相对的背面上形成有第二绝缘膜，所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜面接触。

技术领域

本发明涉及处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法。

背景技术

专利文献1中公开了一种能够在内部收纳被处理体并对该被处理体进行等离子体处理的处理容器。该处理容器包括：具有开口部分的容器主体；和用于保护容器主体不受由等离子体和/或腐蚀性气体造成的损伤的保护部件。保护部件包括：沿着容器主体的内壁面设置的第一保护部件；和在开口部分的周围与第一保护部件分离并且可拆装地设置的第二保护部件。采用专利文献1中公开的处理容器，能够容易地进行用于保护处理容器的内表面的保护部件的更换操作，能够抑制部件成本。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-140939号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供能够抑制颗粒产生并且实现放电稳定化的处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个方式提供一种处理容器，其用于构成等离子体处理装置，能够在内部收纳基片并对所述基片进行等离子体处理，所述处理容器的特征在于：在所述处理容器中的被暴露于等离子体的第一内侧面的至少一部分上形成有第一绝缘膜，在至少保护所述第一内侧面不受等离子体影响的保护面材中的与所述第一绝缘膜相对的背面上形成有第二绝缘膜，所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜面接触。

发明效果

采用本发明，能够抑制颗粒产生并且实现放电稳定化。

附图说明

图1是表示实施方式的处理容器的一个例子和实施方式的等离子体处理装置的一个例子的纵截面图。

图2是将图1的II部放大的纵截面图。

附图标记说明

18、18a、18b：第一内侧面，20：处理容器，40、40A、40B：保护面材，40b：背面，41：第二绝缘膜，43、43A、43B：第一绝缘膜，100：等离子体处理装置，G：基片。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式的处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于实质上相同的构成要素，有时通过标注相同的附图标记来省略重复的说明。

[实施方式的处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法]

参照图1和图2，对本发明的实施方式的处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法的一个例子进行说明。在此，图1是表示实施方式的处理容器的一个例子和实施方式的等离子体处理装置的一个例子的纵截面图，图2是将图1的II部放大的纵截面图。