[发明专利]处理容器、等离子体处理装置和处理容器的制造方法

权利要求书

1.一种处理容器，其用于构成等离子体处理装置，能够在内部收纳基片并对所述基片进行等离子体处理，所述处理容器的特征在于：

在所述处理容器中的被暴露于等离子体的第一内侧面的至少一部分上形成有第一绝缘膜，

在至少保护所述第一内侧面不受等离子体影响的保护面材中的与所述第一绝缘膜相对的背面上形成有第二绝缘膜，

所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜面接触。

2.如权利要求1所述的处理容器，其特征在于：

在所述第一内侧面上，相邻地安装有多个所述保护面材，

在一个所述保护面材中的与相邻的另一个所述保护面材相对的端面上也形成有所述第二绝缘膜，

相对的所述第二绝缘膜彼此面接触。

3.如权利要求1或2所述的处理容器，其特征在于：

所述处理容器和所述保护面材均由包含铝或铝合金的金属形成，

所述保护面材中的被暴露于所述等离子体的第二内侧面是所述金属露出的面。

4.如权利要求1～3中任一项所述的处理容器，其特征在于：

所述第一内侧面具有接地电位，

所述处理容器和所述保护面材经由金属制的连结部件彼此连接，从而所述保护面材具有接地电位。

5.如权利要求1～4中任一项所述的处理容器，其特征在于：

所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜为耐酸铝膜、钇喷镀膜、氟化钇喷镀膜、包含氧化铝喷镀膜的陶瓷喷镀膜、喷涂树脂膜和定形树脂膜中的任一种。

6.一种等离子体处理装置，其特征在于：

具有权利要求1～5中任一项所述的处理容器。

7.一种处理容器的制造方法，所述处理容器用于构成等离子体处理装置，能够在内部收纳基片并对所述基片进行等离子体处理，所述处理容器的制造方法的特征在于，包括：

在所述处理容器中的被暴露于等离子体的第一内侧面的至少一部分上形成第一绝缘膜的步骤；

在至少保护所述第一内侧面不受等离子体影响的保护面材中的与所述第一绝缘膜相对的背面上形成第二绝缘膜的步骤；和

以使所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜面接触的方式，在所述第一内侧面上安装所述保护面材的步骤。

8.如权利要求7所述的处理容器的制造方法，其特征在于：

在所述形成第二绝缘膜的步骤中，在所述保护面材中的与相邻的另一个所述保护面材相对的端面上也形成所述第二绝缘膜，

在所述安装保护面材的步骤中，使相邻的所述保护面材所具有的所述第二绝缘膜彼此面接触。

9.如权利要求7或8所述的处理容器的制造方法，其特征在于：

所述处理容器和所述保护面材均由包含铝或铝合金的金属形成，

所述保护面材中的被暴露于所述等离子体的第二内侧面是所述金属露出的面。

10.如权利要求7～9中任一项所述的处理容器的制造方法，其特征在于：

还包括将所述第一内侧面接地的步骤，

在所述安装保护面材的步骤中，将所述处理容器和所述保护面材经由金属制的连结部件彼此连接，从而将所述保护面材接地。

11.如权利要求7～10中任一项所述的处理容器的制造方法，其特征在于：

所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜为耐酸铝膜、钇喷镀膜、氟化钇喷镀膜、包含氧化铝喷镀膜的陶瓷喷镀膜、喷涂树脂膜和定形树脂膜中的任一种。