[发明专利]一种吸盘机构及装设装置

说明书

本发明提供了一种吸盘机构及装设装置，涉及化学气相沉积设备领域，吸盘机构包括载盘吸附管、载盘吸附件、晶圆吸附管、晶圆吸附件及支撑件，载盘吸附管可转动地设于支撑件上，载盘吸附件设于载盘吸附管的一端，且与载盘吸附管连通，载盘吸附件用于吸附载盘，晶圆吸附管穿设于载盘吸附管中，晶圆吸附件设于晶圆吸附管靠近载盘吸附件的一端，且与晶圆吸附管连通，晶圆吸附件用于吸附晶圆，晶圆吸附管能够在载盘吸附管中移动，以使吸附于晶圆吸附件上的晶圆移动至吸附于载盘吸附件上的载盘上。本发明提供的吸盘机构操作简易，可实现自动化取放晶圆，提高了效率，且避免了人工操作的污染，从而提高了产能及产品的良率。

技术领域

本发明涉及化学气相沉积设备领域，尤其涉及一种吸盘机构及装设装置。

背景技术

在化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)制备碳化硅(siliconcarbide，SiC)外延片的过程中，通常将晶圆放置于载盘上，再将载盘放置于反应室中进行转动，以在晶圆上形成外延层。为了防止晶圆和载盘之间发生相对移动，晶圆和载盘表面都设计有平边，将两个平边对正，可使晶圆与载盘同步转动。目前行业内，晶圆通常采用人工的方式放置于载盘上。操作员使用真空吸盘笔，将晶圆放置于载盘上，并使晶圆和载盘上的两个平边对正。人工操作会产生一定的吸笔划痕，且可能存在晶圆和载盘的平边未对正的情况，甚至在人工误操作时，还会有晶圆掉落的风险，从而造成成本的浪费以及不良率的提高。人工放置晶圆于载盘上，还存在操作效率低下的问题，降低了生产效率，且放置的稳定性较低，有误差存在，重复性差，不利于实现全自动化生产。而且人本身就存在污染，人工操作还会带来颗粒物污染，颗粒掉落到晶圆表面上，极易增加晶圆表面的缺陷，还会造成最后外延片良品率的降低。

发明内容

为克服现有技术中的不足，本申请提供一种吸盘机构及装设装置。

本申请提供的一种吸盘机构，包括载盘吸附管、载盘吸附件、晶圆吸附管、晶圆吸附件及支撑件，所述载盘吸附管可转动地设于所述支撑件上，所述载盘吸附件设于所述载盘吸附管的一端，且与所述载盘吸附管连通，所述载盘吸附件用于吸附载盘，所述晶圆吸附管穿设于所述载盘吸附管中，所述晶圆吸附件设于所述晶圆吸附管靠近所述载盘吸附件的一端，且与所述晶圆吸附管连通，所述晶圆吸附件用于吸附所述晶圆，所述晶圆吸附管能够在所述载盘吸附管中移动，以使吸附于所述晶圆吸附件上的所述晶圆移动至吸附于所述载盘吸附件上的所述载盘上。

在一种可能的实施方式中，所述载盘吸附管包括吸附主体、第一管体及第二管体，所述第一管体与所述第二管体套接且设于所述吸附主体的一侧，所述吸附主体上开设有第一吸附孔及穿设孔，所述第一管体与所述第二管体之间形成第一吸附通道，所述第一管体中形成穿设通道，所述第二管体上开设有第一吸气孔，所述第一吸附孔与所述第一吸气孔通过所述第一吸附通道连通，所述穿设孔与所述穿设通道连通，所述第一吸附孔与所述载盘吸附件相连通，所述晶圆吸附管穿设于所述穿设通道及所述穿设孔中。

在一种可能的实施方式中，所述载盘吸附管还包括第一气嘴，所述第一气嘴设于所述第二管体上且与所述第一吸气孔连通，所述第一气嘴用于外接真空装置，以向所述载盘吸附管中提供真空。

在一种可能的实施方式中，所述载盘吸附件包括吸盘及第一吸附垫，所述吸盘设于所述吸附主体上，所述第一吸附垫设于所述吸盘远离所述吸附主体的一侧，所述吸盘用于将所述载盘吸附管提供的吸附力传递至所述第一吸附垫。

在一种可能的实施方式中，所述载盘吸附件还包括定位销，所述吸盘及所述第一吸附垫上还分别开设有定位孔，所述定位销穿设于所述吸盘及所述第一吸附垫上的所述定位孔中，以将所述吸盘与所述第一吸附垫定位并固定。

在一种可能的实施方式中，所述第一吸附垫为柔性材料制成。