[发明专利]半导体器件及其制作方法以及图像传感器

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法以及图像传感器，半导体器件的制作方法包括骤：提供第一基底；在所述第一基底上形成多个第一沟槽；对所述第一沟槽进行氧化，以将所述第一沟槽的内壁上的部分基底氧化成二氧化硅膜层；及去除所述二氧化硅膜层，形成多个第二沟槽。本发明提供一种半导体器件及其制作方法以及图像传感器具有优异的像素性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法以及图像传感器。

背景技术

深沟槽隔离(deep trench isolation，DTI)结构有着较好的隔离效果，尤其是在CMOS图像传感器(CIS)技术领域，DTI技术已经被广泛用于解决光学和电学的串扰问题。

DTI结构是通过干法刻蚀Si，然后再填充高介电(HIK)薄膜和介质膜层形成的，且由于DTI结构的深度较深，因此，干法刻蚀的时间比较长，DTI结构的沟槽的表面受到等离子体的冲击的时间也较长，如此，DTI结构的沟槽的表面受损比较严重会造成衬底漏电产生较大的暗电流，对白色像素(white pixel)的性能产生不利影响。若是较少DTI结构的沟槽的深度，则DTI结构的隔离效果不好，又不利于解决光学和电学的串扰问题。

发明内容

因此，本发明提供一种具有优异的像素性能的半导体器件及其制作方法。

另外，本发明还提供一种包括如上所述的半导体器件的图像传感器。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括步骤：

提供第一基底；

在所述第一基底上形成多个第一沟槽；

对所述第一沟槽进行氧化，以将所述第一沟槽的内壁上的部分基底氧化成二氧化硅膜层；及

去除所述二氧化硅膜层，以形成多个第二沟槽。

在本申请一可选实施例中，还包括步骤：分别在多个所述第二沟槽内填充绝缘材料，以形成多个沟槽隔离结构。

在本申请一可选实施例中，所述沟槽隔离结构为深沟槽隔离结构。

在本申请一可选实施例中，在垂直于所述第一基底的截面上，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度。

在本申请一可选实施例中，通过氧化性试剂对所述第一沟槽进行氧化。

在本申请一可选实施例中，所述氧化性试剂为双氧水。

在本申请一可选实施例中，通过化学试剂去除所述二氧化硅膜层。

在本申请一可选实施例中，所述化学试剂为氢氟酸。

本申请还提供一种半导体器件，所述半导体器件采用如上所述的半导体器件的制作方法制作而成。

本申请还提供一种图像传感器，包括多个晶体管；所述图像传感器还包括如上所述的半导体器件，每个所述晶体管位于至少两个所述第二沟槽之间。

本申请提供的半导体器件及其制作方法以及图像传感器，在基底上形成多个第一沟槽后，通过氧化性试剂将裸露在所述第一沟槽内的硅氧化成二氧化硅，以在所述第一沟槽的内壁上形成二氧化硅膜层并通过化学试剂刻蚀掉二氧化硅膜层，形成第二沟槽，如此，可以获得沟槽表面的硅缺陷更少的深沟槽结构，从而能够获得更优异的像素性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。