[发明专利]半导体器件及其制作方法以及图像传感器在审
| 申请号： | 202210063575.2 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114388429A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 吴恙;杨帆;胡胜;杨道虹 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 孟霞 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 以及 图像传感器 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供第一基底；
在所述第一基底上形成多个第一沟槽；
对所述第一沟槽进行氧化，以将所述第一沟槽的内壁上的部分基底氧化成二氧化硅膜层；及
去除所述二氧化硅膜层，形成多个第二沟槽。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括步骤：分别在多个所述第二沟槽内填充绝缘材料，以形成多个沟槽隔离结构。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述沟槽隔离结构为深沟槽隔离结构。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在垂直于所述第一基底的截面上，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽的深度。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，通过氧化性试剂对所述第一沟槽进行氧化。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述氧化性试剂为双氧水。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，通过化学试剂去除所述二氧化硅膜层。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述化学试剂为氢氟酸。
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用如权利要求1至8任一项所述的半导体器件的制作方法制作而成。
10.一种图像传感器，包括多个晶体管，其特征在于，所述图像传感器还包括如权利要求9所述的半导体器件，每个所述晶体管位于至少两个所述第二沟槽之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
