[发明专利]一种液晶显示器及其制备方法

权利要求书

1.一种液晶显示器及其制备方法，其特征在于，所述的显示器从上至下依次为：上层ITO玻璃（1），上层镀绝缘层（2），上层PI层（3），密封胶（4），间隔粒子（5），液晶层（6），下层PI层（7），下层镀绝缘层（8），下层ITO玻璃（9）；

所述的显示器的制备方法为：

步骤一、采用光刻工艺制备上层ITO玻璃（1），所述的上层ITO玻璃（1）为光刻制备有图形的ITO玻璃；

步骤二、制备上层镀绝缘层（2）：采用磁控溅射、真空溅射、真空蒸发、化学气相沉积、溶胶-凝胶镀膜的方式将绝缘层镀在刻有图形的上层ITO玻璃（1）面上，所述的上层镀绝缘层（2）的厚度为0.1-8000埃；

步骤三、制备上层PI层（3），所述的上层PI层（3）使用凸版；采用印刷机将液体状态的PI印到上层已镀绝缘层（2）上，后经过200-280℃的温度进行固化即可；

步骤四、将密封胶（4）采用丝网印刷方式，将密封胶丝印在ITO玻璃设计的位置上，通过贴合，热压工序将上下层已制备完成的ITO玻璃进行组合和密封；

步骤五、通过喷粉机，将间隔粒子（5）按数量要求喷洒到印有PI层的玻璃上，即上层PI层（3）上或下层PI层（7）上；所述的上层PI层（3）或下层PI层（7），均通过采用凸版，设备将液体状态的PI印到镀膜绝缘层上，后经过200-280℃的温度进行固化；

步骤六、通过灌晶机，采用抽真空方法，将液晶注入液晶显示器空盒中；

步骤七、下层镀绝缘层（8）的制备：采用磁控溅射、真空溅射、真空蒸发、化学气相沉积、溶胶-凝胶镀膜的方式将绝缘层镀在刻有图形的下层ITO玻璃（9）面上，所述的下层镀绝缘层（8）的厚度为0.1-8000埃；

步骤八、下层ITO玻璃的制备（9）：采用光刻工艺制备下层ITO玻璃（9），所述的下层ITO玻璃（9）为光刻制备有图形的ITO玻璃。

2.根据权利要求1所述的一种液晶显示器及其制备方法，其特征在于，所述的上层ITO玻璃（1）厚度为0.2mm~3.0mm；下层ITO玻璃（9）的厚度为0.2mm~3.0mm。

3.根据权利要求1所述的一种液晶显示器及其制备方法，其特征在于，所述的密封胶（4）为环氧密封胶。

4.根据权利要求1所述的一种液晶显示器及其制备方法，其特征在于，所述的显示器的液晶模式包括扭曲向列液晶TN-LCD，高扭曲向列液晶HTN-LCD，超高扭曲向列液晶STN-LCD，补偿型超高扭曲向列液晶FSTN-LCD，垂直取向型液晶VA-LCD,聚合物分散型液晶显示器，宾主型液晶显示。

5.根据权利要求1所述的一种液晶显示器及其制备方法，其特征在于，所述的

上层镀绝缘层（2）为采用磁控溅射、真空溅射、真空蒸发、化学气相沉积、溶胶-凝胶镀膜的方式在上层ITO玻璃（1）上镀一层绝缘膜; 下层镀绝缘层（8）为采用磁控溅射、真空溅射、真空蒸发、化学气相沉积、溶胶-凝胶镀膜的方式在下层ITO玻璃（9）上镀一层绝缘膜。

6.根据权利要求1所述的一种液晶显示器及其制备方法，其特征在于，所述的液晶显示器的制备方式还包括：制备TOP层，所述的TOP层的制备方法：所述的TOP层通过采用凸版，TOP印刷机将液体状态的TOP印到上层已镀绝缘层（2）上或上层ITO玻璃上（1），以及下层已镀绝缘层（8）上或下层ITO玻璃上（9），后经过200-320℃的温度进行固化形成膜层；印在上层的为上层TOP层（10），印在下层的为下层TOP层（11）。