[发明专利]金属层间通孔形成方法在审
| 申请号： | 202210057474.4 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114496911A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 叶晓 | 申请（专利权）人： | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 层间通孔 形成 方法 | ||
1.一种金属层间通孔形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.在晶圆上进行底层金属(10)工艺；
S2.生长金属层间介质(11)；
S3.进行金属层曝光/刻蚀，去除底层金属(10)正上方的一定厚度的金属层间介质(11)形成介质凹槽(110)；
S4.生长至少一层绝缘层材料(12)；
S5.进行绝缘层刻蚀，去除介质凹槽(110)底上的绝缘层材料(12)，介质凹槽(110)侧壁上保留一定厚度的绝缘层材料(12)；
S6.进行通孔曝光/刻蚀,去除介质凹槽(110)底中央到底层金属(10)之间的金属层间介质(11)，形成介质凹槽(110)底中央到底层金属(10)的通孔(13)；
S7.对介质凹槽(110)及对应通孔(13)实施金属层间介质(11)一体化刻蚀，彻底打开金属层间介质(11)漏出底层金属(10)；
S8.去除介质凹槽(110)侧壁的残余绝缘层材料(12)；
S9.填充金属(14)。
2.根据权利要求1所述的金属层间通孔形成方法，其特征在于，
所述金属层间通孔形成方法为存储器的存储单元阵列位线的金属层间通孔形成方法。
3.根据权利要求1所述的金属层间通孔形成方法，其特征在于，
所述绝缘层材料(12)是一层SiN。
4.根据权利要求1所述的金属层间通孔形成方法，其特征在于，
所述绝缘层材料(12)是Oxide/SiN/Oxide多层结构。
5.根据权利要求1所述的金属层间通孔形成方法，其特征在于，
步骤S4中生长的绝缘层材料(12)厚度在50埃～150埃之间。
6.根据权利要求1所述的金属层间通孔形成方法，其特征在于，
步骤S5中介质凹槽(110)侧壁上保留的绝缘层材料(12)厚度在在10埃～50埃之间。
7.根据权利要求1所述的金属层间通孔形成方法，其特征在于，
步骤S9中，填充的金属为Ti/TiN粘合层或铜材料。
8.根据权利要求1所述的金属层间通孔形成方法，其特征在于，
步骤S3中，形成的介质凹槽(110)深度为底层金属(10)上的金属层间介质(11)厚度的1/3～2/3。
9.根据权利要求1所述的金属层间通孔形成方法，其特征在于，
步骤S2中生长的金属层间介质(11)厚度在200nm～500nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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