[发明专利]晶圆表面缺陷检测方法及其装置

说明书

本发明提供一种晶圆表面缺陷检测方法及晶圆表面缺陷检测装置。所述方法包括：接收晶圆的扫描信息，其中所述扫描信息包括多个扫描参数；决定所述扫描信息的至少一参考点，并根据所述至少一参考点及参考值产生路径信息；根据所述路径信息取得所述扫描参数中对应所述路径信息的多个第一扫描参数，以产生曲线图；以及根据所述曲线图判断所述晶圆是否具有缺陷并判断所述缺陷的缺陷类型。

技术领域

本发明涉及一种半导体晶圆的瑕疵检测技术，尤其涉及一种晶圆表面缺陷检测方法及晶圆表面缺陷检测装置。

背景技术

在电子元件出厂前，一般是由资深目检人员对欲测试的电子元件进行肉眼检测，以对所生产的电子元件是否存在缺陷或对电子元件是否平坦等判断条件进行确认。例如，在判定碳化硅(SiC)晶圆的平坦度时，通常会先通过自动光学检测(Automated OpticalInspection，AOI)设备获得碳化硅晶圆的雾度(Haze)图像，再通过人眼对雾度图像进行人工的判读。

然而，由目检人员进行肉眼检测的判读方式没有一致的标准可遵循，因此经常会因为目检人员各自的主观判读而造成误判。因此如何避免依靠肉眼检测而造成检测结果过于主观的问题，实为本领域技术人员所关心的议题。

发明内容

本发明提供一种晶圆表面缺陷检测方法及晶圆表面缺陷检测装置，能够自动辨识晶圆的扫描信息并且提高缺陷检测的完整性以及准确率。

本发明的一实施例提供一种晶圆表面缺陷检测方法，适用于包括处理器的电子装置。所述方法包括：接收晶圆的扫描信息，其中所述扫描信息包括多个扫描参数；决定所述扫描信息的至少一参考点，并根据所述至少一参考点及参考值产生路径信息；根据所述路径信息取得所述扫描参数中对应所述路径信息的多个第一扫描参数，以产生曲线图；以及根据所述曲线图判断所述晶圆是否具有缺陷并判断所述缺陷的缺陷类型。

在本发明的一范例实施例中，上述参考值包括至少一半径。上述决定所述扫描信息的所述至少一参考点，并根据所述至少一参考点及所述参考值产生所述路径信息的步骤包括：计算所述扫描信息所对应的所述晶圆的圆心作为所述至少一参考点；以及基于所述至少一参考点，根据所述至少一半径决定至少一圆形路径。

在本发明的一范例实施例中，上述根据所述路径信息取得所述扫描信息的所述扫描参数，以产生所述曲线图的步骤包括：沿着所述至少一圆形路径的方向，从所述扫描信息中所述至少一圆形路径对应的像素取得所述第一扫描参数；以及根据所述第一扫描参数及取得所述第一扫描参数的顺序产生所述曲线图。

在本发明的一范例实施例中，上述参考值包括切片角度。上述决定所述扫描信息的所述至少一参考点，并根据所述至少一参考点及所述参考值产生所述路径信息的步骤包括：计算所述扫描信息的平口位置及所述扫描信息所对应的所述晶圆的圆心；计算所述平口位置的中点作为第一参考点，并以所述圆心作为第二参考点；根据所述第一参考点及所述第二参考点决定参考路径；以及根据参考路径及所述切片角度决定穿心路径。

在本发明的一范例实施例中，上述根据参考路径及所述切片角度决定所述穿心路径的步骤包括：根据所述切片角度计算旋转角度；以及根据所述旋转角度旋转所述参考路径以产生所述穿心路径。

在本发明的一范例实施例中，上述根据所述路径信息取得所述扫描参数中对应所述路径信息的所述第一扫描参数，以产生所述曲线图的步骤包括：沿着所述穿心路径的方向，从所述扫描信息中所述穿心路径对应的像素取得所述第一扫描参数；以及根据所述第一扫描参数及取得所述第一扫描参数的顺序产生所述曲线图。