[发明专利]声表面波谐振器、滤波器和通讯装置

说明书

一种声表面波谐振器、滤波器和通讯装置。该声表面波谐振器包括压电材料层、叉指换能器和反射电极结构；压电材料层包括在第一方向上排列的第一区域和两个第二区域；叉指换能器位于压电材料层的一侧；反射电极结构与叉指换能器同层设置；第一区域位于两个第二区域之间，叉指换能器位于第一区域，反射电极结构位于第二区域，声表面波谐振器还包括沟槽，位于压电材料层之中，沟槽位于第二区域，且在第一方向上位于反射电极结构远离叉指换能器的一侧。

技术领域

本公开的实施例涉及一种声表面波谐振器、滤波器和通讯装置。

背景技术

随着通讯技术从2G发展至5G，甚至6G，通信频段数目逐步增加(例如，从2G的4个频段上升到5G的50多个频段)。因此，为了提高对不同通信制式的兼容能力，智能手机等通讯装置所需要的滤波器的用量将显著上升，推动滤波器市场大规模增长。

目前，在智能手机等通讯装置中，广泛应用的射频滤波器是声表面波滤波器，其可用于将输入的多种射频信号中特定频率的信号取出。另一方面，随着通讯技术的持续发展和射频前端模组化发展，市场对滤波器的需求趋向复杂化，高端化，小型化。

发明内容

本公开实施例提供一种声表面波谐振器、滤波器和通讯装置。该声表面波谐振器包括压电材料层、叉指换能器和反射电极结构；压电材料层包括在第一方向上排列的第一区域和两个第二区域；叉指换能器位于压电材料层的一侧；反射电极结构与叉指换能器同层设置；第一区域位于两个第二区域之间，叉指换能器位于第一区域，反射电极结构位于第二区域，声表面波谐振器还包括沟槽，位于压电材料层之中，沟槽位于第二区域，且在第一方向上位于反射电极结构远离叉指换能器的一侧。由此，该声表面波谐振器通过将通常的反射电极结构部分去掉，并在剩余的反射电极结构远离叉指换能器的一侧形成位于压电材料层之中的沟槽，从而在起到相同的反射效果的同时降低该声表面波谐振器的尺寸，实现声表面波谐振器的小型化设计。

本公开至少一个实施例提供一种声表面波谐振器，其包括：压电材料层，包括在第一方向上排列的第一区域和两个第二区域；叉指换能器，位于所述压电材料层的一侧；以及反射电极结构，与所述叉指换能器同层设置，所述第一区域位于两个所述第二区域之间，所述叉指换能器位于所述第一区域，所述反射电极结构位于所述第二区域，所述声表面波谐振器还包括沟槽，位于所述压电材料层之中，所述沟槽位于所述第二区域，且在所述第一方向上位于所述反射电极结构远离所述叉指换能器的一侧。

例如，在本公开一实施例提供的一种声表面波谐振器中，所述沟槽在垂直于所述压电材料层的方向上的深度范围为0.05-0.1L，L为所述叉指换能器的周期长度。

例如，在本公开一实施例提供的一种声表面波谐振器中，所述沟槽在垂直于所述压电材料层的方向上的深度范围为80纳米-120纳米。

例如，在本公开一实施例提供的一种声表面波谐振器中，所述沟槽在所述第一方向上的尺寸大于0.1L，L为所述叉指换能器的周期长度。

例如，在本公开一实施例提供的一种声表面波谐振器中，所述反射电极结构在所述第一方向上的尺寸范围为8-12微米。

例如，在本公开一实施例提供的一种声表面波谐振器中，所述叉指换能器包括：第一电极，包括多个第一条状电极部；以及第二电极，包括多个第二条状电极部，各所述第一条状电极部沿第二方向延伸，各所述第二条状电极部沿所述第二方向延伸，所述多个第一条状电极部和所述多个第二条状电极部在所述第一方向上排列，所述第二方向与所述第一方向相交。

例如，在本公开一实施例提供的一种声表面波谐振器中，所述沟槽在所述第二方向上的尺寸与所述叉指换能器在所述第二方向上的尺寸大致相同。

例如，在本公开一实施例提供的一种声表面波谐振器中，所述反射电极结构包括多个第三条状电极部，多个所述第三条状电极部沿所述第一方向排列。