[发明专利]声表面波谐振器、滤波器和通讯装置有效

专利信息
申请号: 202210052466.0 申请日: 2022-01-18
公开(公告)号: CN114257206B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 请求不公布姓名 申请(专利权)人: 深圳新声半导体有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/64
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒;陈家乐
地址: 518131 广东省深圳市龙华区民*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 表面波 谐振器 滤波器 通讯 装置
【权利要求书】:

1.一种声表面波谐振器,包括:

压电材料层,包括在第一方向上排列的第一区域和两个第二区域;

叉指换能器,位于所述压电材料层的一侧;以及

反射电极结构,与所述叉指换能器同层设置,

其中,所述第一区域位于两个所述第二区域之间,所述叉指换能器位于所述第一区域,所述反射电极结构位于所述第二区域,

所述声表面波谐振器还包括沟槽,位于所述压电材料层之中,所述沟槽位于所述第二区域,且在所述第一方向上位于所述反射电极结构远离所述叉指换能器的一侧,

所述反射电极结构包括沿所述第一方向排列的多个第三条状电极部,所述沟槽在所述第一方向上位于所述多个第三条状电极部和所述多个第三条状电极部之间的间隔远离所述叉指换能器的一侧。

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器,其中,所述沟槽在垂直于所述压电材料层的方向上的深度范围为0.05-0.1L,

其中,L为所述叉指换能器的周期长度。

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器,其中,所述沟槽在垂直于所述压电材料层的方向上的深度范围为80纳米-120纳米。

4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器,其中,所述沟槽在所述第一方向上的尺寸范围大于0.1L,

其中,L为所述叉指换能器的周期长度。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的声表面波谐振器,其中,所述反射电极结构在所述第一方向上的尺寸范围为8-12微米。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的声表面波谐振器,其中,所述叉指换能器包括:

第一电极,包括多个第一条状电极部;以及

第二电极,包括多个第二条状电极部,

其中,各所述第一条状电极部沿第二方向延伸,各所述第二条状电极部沿所述第二方向延伸,所述多个第一条状电极部和所述多个第二条状电极部在所述第一方向上排列,所述第二方向与所述第一方向相交。

7.根据权利要求6所述的声表面波谐振器,其中,所述沟槽在所述第二方向上的尺寸与所述叉指换能器在所述第二方向上的尺寸大致相同。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的声表面波谐振器,其中,所述沟槽在所述第一方向上与所述反射电极结构的距离范围为200-300纳米。

9.根据权利要求8所述的声表面波谐振器,其中,所述反射电极结构包括的所述第三条状电极部的数量的范围为10-20条。

10.根据权利要求9所述的声表面波谐振器,其中,所述反射电极结构包括的所述第三条状电极部的数量的范围为14-16条。

11.根据权利要求1-4中任一项所述的声表面波谐振器,其中,所述压电材料层的材料包括压电晶体或压电陶瓷。

12.根据权利要求1-4中任一项所述的声表面波谐振器,其中,所述叉指换能器的材料包括金、钨、银、钛、铂、铝、铜和钼中的一种或多种。

13.一种滤波器,包括多个谐振器,

其中,所述多个谐振器包括至少一个根据权利要求1-12中任一项所述的声表面波谐振器。

14.根据权利要求13所述的滤波器,其中,所述多个谐振器包括多个所述声表面波谐振器,多个所述声表面波谐振器包括在所述第一方向上排列且相邻的第一声表面波谐振器和第二声表面波谐振器,

所述第一声表面波谐振器和所述第二声表面波谐振器共用一个所述沟槽。

15.一种通讯装置,包括根据权利要求13或14所述的滤波器。

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