[发明专利]一种低电磁干扰的功率半导体模块的封装架构

权利要求书

1.一种低电磁干扰的功率半导体模块的封装架构，其特征在于：包括集成在引线框架上且结构相同的第一功率半导体模块、第二功率半导体模块，所述第一功率半导体模块和所述第二功率半导体模块均包括滤波吸收芯片、功率半导体芯片；

所述引线框架上设有绝缘基板，所述功率半导体芯片设置在所述绝缘基板的第一导体层上，所述功率半导体芯片的一端经键合线与所述滤波吸收芯片的第一电极电连接，所述滤波吸收芯片的第二电极接地或与所述功率半导体芯片的另一端电连接，所述滤波吸收芯片用于在所述功率半导体芯片开关工作时滤除和/或吸收所述功率半导体芯片造成的共模干扰。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块的封装架构，其特征在于：所述滤波吸收芯片为共模滤波电容，且所述共模滤波电容的第一电极经键合线连接至所述第一导体层上，以实现所述共模滤波电容与所述功率半导体芯片电连接。

3.根据权利要求2所述的功率半导体模块的封装架构，其特征在于：所述共模滤波电容的第二电极经所述引线框架接地。

4.根据权利要求2所述的功率半导体模块的封装架构，其特征在于：所述共模滤波电容与所述引线框架之间设有所述绝缘基板，所述共模滤波电容设置在所述绝缘基板的第二导体层上，所述第二导体层上设有接地端子，所述共模滤波电容经所述接地端子接地。

5.根据权利要求1所述的功率半导体模块的封装架构，其特征在于：所述滤波吸收芯片为高频吸收芯片，所述高频吸收芯片的第一电极经键合线与所述功率半导体芯片的第一电极电连接，所述功率半导体芯片的第二电极与所述高频吸收芯片的第二电极电连接，所述高频吸收芯片用于在所述功率半导体芯片开关工作时吸收所述功率半导体芯片产生的瞬态电压。

6.根据权利要求5所述的功率半导体模块的封装架构，其特征在于：所述高频吸收芯片包括集成并串联在一起的吸收电容和阻尼电阻，且所述吸收电容与所述功率半导体芯片的第一电极电连接，所述阻尼电阻与所述功率半导体芯片的第二电极电连接。

7.根据权利要求5所述的功率半导体模块的封装架构，其特征在于：所述高频吸收芯片包括吸收电容，所述吸收电容的第一电极经端子铜片与所述功率半导体芯片的第一电极电连接，所述吸收电容的第二电极经键合线与设置在所述第一导体层上的阻尼电阻电连接，且所述阻尼电阻的另一端与所述功率半导体芯片的第二电极电连接。

8.一种低电磁干扰的功率半导体模块的封装架构，其特征在于：包括集成在引线框架上的上桥臂功率半导体芯片、下桥臂功率半导体芯片、滤波吸收芯片；

所述引线框架上设有绝缘基板，所述上桥臂功率半导体芯片设置在所述绝缘基板上的第一导体层上，所述下桥臂功率半导体芯片设置在所述绝缘基板上的第二导体层上，且所述第一导体层和所述第二导体层上分别设有功率和门极端子；

所述滤波吸收芯片设置在所述第一导体层或所述第二导体层上，且所述滤波吸收芯片的一端电极与所述上桥臂功率半导体芯片经键合线连接，所述滤波吸收芯片的另一端电极与所述下桥臂功率半导体芯片经键合线连接；

所述滤波吸收芯片用于在所述上桥臂功率半导体芯片和所述下桥臂功率半导体芯片开关工作时吸收所述上桥臂功率半导体芯片和所述下桥臂功率半导体芯片产生的瞬态电压。

9.根据权利要求8所述的功率半导体模块的封装架构，其特征在于：所述滤波吸收芯片为高频吸收芯片，所述高频吸收芯片包括集成并串联在一起的吸收电容和阻尼电阻，所述吸收电容与所述上桥臂功率半导体芯片电连接，所述阻尼电阻与所述下桥臂功率半导体芯片经键合线电连接。

10.根据权利要求8所述的功率半导体模块的封装架构，其特征在于：所述滤波吸收芯片为高频吸收芯片，且所述高频吸收芯片包括设置在所述第一导体层上的吸收电容，所述吸收电容的一端与所述上桥臂功率半导体芯片电连接，另一端经键合线与设置在所述第二导体层上的阻尼电阻电连接，且所述阻尼电阻的另一端与所述下桥臂功率半导体芯片电连接。