[发明专利]晶片载置台及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片载置台，具备：

第一陶瓷基体，其在上表面具有晶片载置面；

第二陶瓷基体，其配置于所述第一陶瓷基体的下表面侧；

金属接合层，其将所述第一陶瓷基体的下表面与所述第二陶瓷基体的上表面接合；

连接构件，其具备上底和下底，在所述上底与所述金属接合层接触的状态下埋设于所述第二陶瓷基体；以及

供电端子，其与所述连接构件的所述下底电连接，

所述连接构件具有将所述连接构件沿与所述上底平行的面切断时的截面积从所述上底侧朝向所述下底侧变大的部分。

2.根据权利要求1所述的晶片载置台，其中，所述第二陶瓷基体具备用于将所述供电端子插入所述第二陶瓷基体下表面的孔，

所述供电端子的侧面与所述孔的侧面接合。

3.根据权利要求1或2所述的晶片载置台，其中，所述连接构件是层叠有多层金属网的构件。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的晶片载置台，其中，所述连接构件的形状是将所述连接构件沿与所述上底平行的面切断时的截面积从所述上底朝向所述下底变大的形状。

5.根据权利要求4所述的晶片载置台，其中，所述连接构件的形状为圆锥台形状、半球台形状或与所述圆锥台形状相比侧面向内侧凹进的形状。

6.一种晶片载置台的制造方法，包含：

(a)准备在上表面具有晶片载置面的第一陶瓷基体和埋设有具备上底和下底的连接构件的第二陶瓷基体的工序；

(b)磨削所述第二陶瓷基体以使所述连接构件的所述上底露出，形成接合面的工序；以及

(c)对所述第一陶瓷基体的下表面与所述第二陶瓷基体的所述接合面进行金属接合的工序，

在所述工序(a)中准备的埋设于所述第二陶瓷基体的所述连接构件具有将所述连接构件沿与所述上底平行的面切断时的截面积从所述上底侧朝向所述下底侧变大的部分。