[发明专利]一种用于三氯氢硅吸附除杂的活性炭吸附方法在审

专利信息
申请号: 202210049781.8 申请日: 2022-01-17
公开(公告)号: CN114470869A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 陈锦溢;杨金杯;余美琼;杨圳;聂晨曦 申请(专利权)人: 福建技术师范学院
主分类号: B01D15/10 分类号: B01D15/10;B01D15/16;B01D15/20;B01D46/00;B01D46/24;B01D46/88
代理公司: 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 代理人: 陈秀琴
地址: 350300 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 三氯氢硅 吸附 活性炭 方法
【说明书】:

发明涉及一种用于三氯氢硅吸附除杂的活性炭吸附方法,其包括:吸附柱壳体,所述吸附柱壳体的顶部和底部均为封闭状;所述吸附柱壳体的外壁缠绕有外盘管;所述吸附柱壳体的上部设有吸附剂进口;所述吸附柱壳体底部设置吸附剂卸放口,所述吸附剂卸放口上连接有吸附剂卸放管,所述吸附柱壳体的下部设有进料管式分布器,所述吸附柱壳体的上部设有出料管式分布器,所述吸附柱壳体的上部设有尾气出口过滤管;本发明通过管式分布器与过滤帽的结合,代替原有支撑板过滤结构,同时对吸附剂卸放结构进行优化,具有安全性高、拆卸容易、液体分布均匀和拦截效率高优点。

技术领域

本发明涉及化工设备领域,尤其涉及一种用于三氯氢硅吸附除杂的活性炭吸附方法。

背景技术

多晶硅作为光伏和电子产业的原材料,是采用气相沉积法将精馏后的高纯三氯氢硅与氢气在还原炉高温高压环境下沉积得到的。因而,三氯氢硅物料中痕量杂质含量是影响多晶硅产品品质的主要因素。硼作为三氯氢硅中的主要杂质,主要是采用精馏工艺并用大量三氯氢硅夹带的方法将其进行脱除,该法牺牲了三氯氢硅的利用率。为了降低物耗,就需要耦合吸附工艺对原需外排的三氯氢硅进行吸附除硼,才能进行回用。用于三氯氢硅吸附除硼的改性椰壳活性炭在高温缺氧条件下活化并改性制备的,对硼杂质具有吸附速率高、吸附容量大等优点,并且不易燃,具有较高的安全性。

三氯氢硅体系具有易燃、易爆、需隔绝空气和水分的物性特点,为了保证生产过程的安全性,对吸附柱的结构、装填和卸放方式都提出了更高的要求。原有吸附柱的固定支撑板、不同规格的磁球装填、滤网等结构都难以适用该工况。因此,需要开发使用和装卸安全性高、分布均匀性好、拦截效率高、维护成本低的吸附柱结构和内构件。

发明内容

(一)要解决的技术问题

为了解决现有技术的上述问题,本发明提供一种用于三氯氢硅吸附除杂的活性炭吸附方法。

(二)技术方案

为了达到上述目的,本发明采用的主要技术方案包括:

一种用于三氯氢硅吸附除杂的活性炭吸附方法,其包括:活性炭吸附装置,该活性炭吸附装置包括吸附柱壳体,所述吸附柱壳体的顶部和底部均为封闭状;所述吸附柱壳体的外壁缠绕有外盘管;所述吸附柱壳体的上部设有吸附剂进口;所述吸附柱壳体底部设置吸附剂卸放口,所述吸附剂卸放口上连接有吸附剂卸放管,所述吸附柱壳体的下部设有进料管式分布器,所述吸附柱壳体的上部设有出料管式分布器,所述吸附柱壳体的上部设有尾气出口过滤管。

进一步地,所述进料管式分布器包括进料管式分布管道和设置在进料管式分布管道上用于拦截作用的过滤帽,进料管式分布管道与吸附柱壳体的物料进口之间通过法兰连接;所述出料管式分布器包括出料管式分布管道和设置在出料管式分布管道上用于拦截作用的过滤帽,出料管式分布管道与吸附柱壳体的物料出口之间通过法兰连接。

进一步地,所述出料管式分布管道的结构与进料管式分布管道的结构相对称,所述进料管式分布管道包括主管,主管的两端为封闭端;所述主管的两侧分别按间隔设有若干支管,支管与主管相互垂直连通,且支管的末端为封闭状;同一侧的若干支管通过连接板相固定;每个支管上按间隔设有若干锐孔,每个锐孔上连接有过滤帽;所述主管上连接有料管,用于进料或出料。

进一步地,所述过滤帽包括丝杆和与丝杆相连接的帽头,所述丝杆与锐孔相连接。

进一步地,所述帽头的直径为70mm,过滤缝隙为0.25mm,帽头的高度为100mm;丝杆采用外螺纹M32,高度为55mm。

进一步地,所述尾气出口过滤管的末端为封闭状,尾气出口过滤管的表面均布开设通孔,然后用丝网裹夹,丝网和尾气出口过滤管的表面按照梅花点阵焊接,点焊避开通孔位置。

进一步地,所述通孔的直径为12mm,通孔的数量为12个;所述丝网为双层150目的丝网。

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