[发明专利]一种存储装置操作方法及存储装置

说明书

本申请提供一种存储装置操作方法及存储装置，涉及神经网络技术领域，用于避免存储装置中的存储单元的电导变化缓慢的情况。该存储装置包括：多个存储串构成的存储单元阵列，该存储串包括多个存储单元，该多个存储单元中的至少一个存储单元的电导作为第一神经元和第二神经元之间的突触权重，该方法包括：对目标存储单元施加第一脉冲电压，以对该目标存储单元进行第一操作，其中，该目标存储单元包括该至少一个存储单元；对该目标存储单元施加第二脉冲电压，以对该目标存储单元进行第二操作，该第二脉冲电压的绝对值大于该第一脉冲电压的绝对值。

技术领域

本申请涉及神经网络技术领域，尤其涉及一种存储装置操作方法及存储装置。

背景技术

神经网络包括多个神经元和多个突触，多个突触中的每个突触可以用于连接多个神经元中的前端神经元和后端神经元，并将前端神经元的电信号或化学信号传递给后端神经元。三维(three dimensions，3D)NAND闪存是由多个存储单元堆叠而成的存储设备，具有非易失性，存储容量大、工艺成熟度高和成本低等优点，因此可以应用于神经网络中作为仿生突触器件。

将3D NAND闪存应用于神经网络时，通常采用3D NAND闪存中存储单元的电导作为突触权重，突触权重可用于表示神经网络中两个神经元之间的连接强度。

发明内容

本申请提供一种存储装置操作方法及存储装置，用于避免存储装置中的存储单元的电导变化缓慢的情况。

为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

第一方面，提供一种存储装置操作方法，该存储装置包括：多个存储串构成的存储单元阵列，该存储串包括多个存储单元，该多个存储单元中的至少一个存储单元的电导作为第一神经元和第二神经元之间的突触权重，该方法包括：对目标存储单元施加第一脉冲电压，该第一脉冲电压可以为正向脉冲电压，也可以为负向脉冲电压，以对该目标存储单元进行第一操作，该第一操作可以为编程操作，也可以为擦除操作，其中，该目标存储单元包括该至少一个存储单元；对该目标存储单元施加第二脉冲电压，该第二脉冲电压可以为正向脉冲电压，也可以为负向脉冲电压，以对该目标存储单元进行第二操作，该第一操作和该第二操作是连续两次操作，比如，当第一操作是编程操作时，该第二操作也为编程操作，该第二脉冲电压的绝对值大于该第一脉冲电压的绝对值。

上述技术方案中，对目标存储单元施加第一脉冲电压，以对目标存储单元进行第一操作，对目标存储单元施加第二脉冲电压，以对目标存储单元进行第二操作，该第一操作和该第二操作是连续两次操作，该第二脉冲电压的绝对值大于该第一脉冲电压的绝对值，脉冲电压逐渐升高，从而能够持续对目标存储单元进行编程操作或者擦除操作，使得目标存储单元中的电导以同一个量值持续的增大或者减小，与由于阈值电压升高，采用相同幅值的脉冲电压使得存储单元电导变化缓慢相比，即避免了出现编程饱和以及擦除饱和的现象。

在第一方面的一种可能的实现方式中，该方法该包括：对该目标存储单元施加第三脉冲电压，以对该目标存储单元进行第三操作，该第一脉冲电压与该第二脉冲电压之间的时间间隔和该第二脉冲电压与该第三脉冲电压之间的时间间隔相等，该第三脉冲电压的绝对值大于该第二脉冲电压的绝对值。上述可能的实现方式中，对目标存储单元进行连续的三次操作，该第一操作之后目标存储单元的电导值为第一电导值，该第二操作之后目标存储单元的电导值为第二电导值，该第三操作之后目标存储单元的电导值为第三电导值，该第一电导值与该第二电导值的差值为第一数值，该第二电导值与该第三电导值的差值为第二数值，由于该第二脉冲电压与该第一脉冲电压之差的绝对值、以及该第三脉冲电压与该第二脉冲电压之差的绝对值均在预设电压范围内，即第一脉冲电压、第二脉冲电压以及第三脉冲电压可以近似看作等比例增加，第一电导值、第二电导值以及第三电导值可以近似看作等比例减小或者等比例增大，该第一电导值、该第二电导值和该第三电导值的变化趋势可以近似为一条直线，从而提高了目标存储单元电导的线性度，进一步提高了神经网络的准确性。