[发明专利]一种存储装置操作方法及存储装置在审
申请号: | 202210049712.7 | 申请日: | 2022-01-17 |
公开(公告)号: | CN114446358A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 周稳;靳磊 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/04;G11C16/24;G06N3/04 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储 装置 操作方法 | ||
1.一种存储装置操作方法,其特征在于,所述存储装置包括:多个存储串构成的存储单元阵列,所述存储串包括多个存储单元,所述多个存储单元中的至少一个存储单元的电导作为第一神经元和第二神经元之间的突触权重,所述方法包括:
对目标存储单元施加第一脉冲电压,以对所述目标存储单元进行第一操作,其中,所述目标存储单元包括所述至少一个存储单元;
对所述目标存储单元施加第二脉冲电压,以对所述目标存储单元进行第二操作,所述第二脉冲电压的绝对值大于所述第一脉冲电压的绝对值。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
对所述目标存储单元施加第三脉冲电压,以对所述目标存储单元进行第三操作,所述第一脉冲电压与所述第二脉冲电压之间的时间间隔和所述第二脉冲电压与所述第三脉冲电压之间的时间间隔相等,所述第三脉冲电压的绝对值大于所述第二脉冲电压的绝对值。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述第一操作之后所述目标存储单元的电导值为第一电导值,在所述第二操作之后所述目标存储单元的电导值为第二电导值,在所述第三操作之后所述目标存储单元的电导值为第三电导值;
其中,所述第一电导值、所述第二电导值和所述第三电导值呈线性关系。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述存储装置还包括与所述目标存储单元连接的字线,所述脉冲电压为施加在所述字线上的正向脉冲电压,所述操作为编程操作。
5.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述存储装置还包括与所述目标存储单元连接的字线,所述脉冲电压为施加在所述字线上的负向脉冲电压,所述操作为擦除操作。
6.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,所述存储装置还包括与所述目标存储单元连接的位线,所述脉冲电压施加在所述位线上的正向脉冲电压,所述操作为擦除操作。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述目标存储单元分别施加多个脉冲电压中的每个脉冲电压之前,所述方法还包括:
获取所述目标存储单元的当前电导值;
根据所述当前电导值、以及所述当前电导值对应的预设电导值,调节所述脉冲电压。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,当所述操作为擦除操作时,所述根据所述当前电导值、以及与所述当前电导值对应的预设电导值,调节所述脉冲电压,包括:
若所述当前电导值大于所述当前电导值对应的预设电导值,则减小所述脉冲电压的绝对值,所述多个脉冲电压中所述脉冲电压的下一个脉冲电压的绝对值大于减小后的所述脉冲电压的绝对值;
若所述当前电导值小于所述当前电导值对应的预设电导值,则增加所述脉冲电压的绝对值,所述多个脉冲电压中所述脉冲电压的下一个脉冲电压的绝对值大于增加后的所述脉冲电压的绝对值。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,当所述操作为编程操作时,所述根据所述当前电导值、以及与所述当前电导值对应的预设电导值,调节所述脉冲电压,包括:
若所述当前电导值大于所述当前电导值对应的预设电导值,则增加所述脉冲电压的绝对值,所述多个脉冲电压中所述脉冲电压的下一个脉冲电压的绝对值大于增加后的所述第一脉冲电压的绝对值;
若所述当前电导值小于所述当前电导值对应的预设电导值,则减小所述脉冲电压的绝对值,所述多个脉冲电压中所述脉冲电压的下一个脉冲电压的绝对值大于减小后的所述第一脉冲电压的绝对值。
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