[发明专利]含硅隔膜及其制备方法、锂电池在审
| 申请号： | 202210041337.1 | 申请日： | 2022-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN114374054A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 方应国;刘长昊;李雪峰 | 申请（专利权）人： | 惠州市赛能电池有限公司 |
| 主分类号： | H01M50/403 | 分类号： | H01M50/403;H01M50/449;H01M50/431;H01M50/417;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 惠州知侬专利代理事务所(普通合伙) 44694 | 代理人： | 罗佳龙 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市惠城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔膜 及其 制备 方法 锂电池 | ||
1.一种含硅隔膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备基础膜，并对所述基础膜进行预热操作，得到预热基础膜；
配制含纳米二氧化硅的静电纺丝液；
将所述含纳米二氧化硅的静电纺丝液在所述预热基础膜上进行静电纺丝操作，得到所述含硅隔膜。
2.根据权利要求1所述的含硅隔膜的制备方法，其特征在于，所述基础膜为聚烯烃材料。
3.根据权利要求1所述的含硅隔膜的制备方法，其特征在于，在制备基础膜，并对所述基础膜进行预热操作，得到预热基础膜的步骤之前，所述的含硅隔膜的制备方法还包括以下步骤：
对所述基础膜进行表面处理操作。
4.根据权利要求1所述的含硅隔膜的制备方法，其特征在于，所述预热操作中的温度为40℃～80℃。
5.根据权利要求1所述的含硅隔膜的制备方法，其特征在于，在将所述含纳米二氧化硅的静电纺丝液在所述预热基础膜上进行静电纺丝操作，得到所述含硅隔膜的步骤之后，所述的含硅隔膜的制备方法还包括以下步骤：
对所述含硅隔膜进行热压操作。
6.根据权利要求1所述的含硅隔膜的制备方法，其特征在于，所述静电纺丝操作中所述静电纺丝液的挤出速度为0.03mL/min～0.5mL/min。
7.根据权利要求1所述的含硅隔膜的制备方法，其特征在于，所述静电纺丝操作中设定电压为5kV～20kV。
8.根据权利要求1所述的含硅隔膜的制备方法，其特征在于，所述静电纺丝操作中纺丝液喷头与接收基底之间的距离为8cm～35cm。
9.一种含硅隔膜，其特征在于，所述含硅隔膜由权利要求1～8中任一所述的含硅隔膜的制备方法制备得到。
10.一种锂电池，其特征在于，所述锂电池包括如权利要求9所述的含硅隔膜。
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