[发明专利]套刻精度量测图形的制作方法及套刻精度量测图形

说明书

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种套刻精度量测图形的制作方法及套刻精度量测图形，其中，套刻精度量测图形的制作方法包括：提供晶圆；提供第一光刻胶层，第一光刻胶层具有多个平行排布的初始条状图形；以第一光刻胶层为掩膜图形化晶圆，以将初始条状图形转移到晶圆上，形成第一目标图形；提供第二光刻胶层，第二光刻胶层具有多个第一标记图形及第二标记图形，且第一标记图形沿第一方向延伸，第二标记图形沿第二方向延伸；在形成第一目标图形之后，以第二光刻胶层为掩膜图形化第一目标图形，形成第二目标图形，可以提高套刻精度量测图形的图形精度。

技术领域

本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种套刻精度量测图形的制作方法及套刻精度量测图形。

背景技术

半导体技术的发展通常局限于光刻技术的发展，光刻技术是通过对准、曝光等一系列步骤将掩膜图案图形转移到晶圆上的工艺过程，特征尺寸的缩小对硅片套刻精度提出了更加严格的要求。如果光刻层间套刻精度没有达到设计准则的要求，会导致前端器件功能和后段连线功能的失效，直接造成产品良率的损失。

在集成电路的制造的流程中，通常利用专门的设备测量晶圆上图形之间的相对位置以确定套刻误差。晶圆上专门用来测量套刻误差的图形被称为套刻标识。

然而目前形成的套刻标识存在图形异常的问题。

发明内容

本公开实施例提供一种套刻精度量测图形的制作方法及套刻精度量测图形，至少可以提高套刻精度量测图形的图形精度。

根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种套刻精度量测图形的制作方法，包括：提供晶圆；提供第一光刻胶层，所述第一光刻胶层具有多个平行排布的初始条状图形；以所述第一光刻胶层为掩膜图形化所述晶圆，以将所述初始条状图形转移到所述晶圆上，形成第一目标图形；提供第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有多个第一标记图形及第二标记图形，且所述第一标记图形沿第一方向延伸，所述第二标记图形沿第二方向延伸；在形成所述第一目标图形之后，以所述第二光刻胶层为掩膜图形化所述第一目标图形，形成第二目标图形。

在一些实施例中，在沿所述初始条状图形排布方向上，相邻的所述初始条状图形之间的间隙相等。

在一些实施例中，所述初始条状图形的数量大于等于6。

在一些实施例中，所述初始条状图形在所述晶圆表面的正投影图形为长方形，且所述初始条状图形的延伸方向与所述初始条状图形排布方向垂直。

在一些实施例中，所述初始条状图形的延伸方向与所述第一方向相同，多个所述初始条状图形的排布方向与所述第二方向相同。

在一些实施例中，所述初始条状图形的延伸方向相对于所述第一方向倾斜，多个所述初始条状图形的排布方向相对于所述第二方向倾斜。

在一些实施例中，所述晶圆包括顺时针依次排布的第一光栅区、第二光栅区、第三光栅区以及第四光栅区；形成所述第二目标图形的方法包括：以所述第二光刻胶层为掩膜，沿所述第一方向对所述第一光栅区以及所述第三光栅区的所述第一目标图形进行切断处理，沿所述第二方向对所述第二光栅区以及所述第四光栅区的所述第一目标图形进行切断处理，以形成所述第二目标图形。

在一些实施例中，所述初始条状图形的延伸方向相对于所述第一方向倾斜的夹角在0-45°范围内，多个所述初始条状图形的排布方向与所述第二方向倾斜的夹角在0-45°范围内。

所述初始条状图形在所述晶圆表面的正投影图形为环状跑道型。

在一些实施例中，所述第二光刻胶层具有中心点，且所述第一标记图形和所述第二标记图形沿所述中心点中心对称。