[发明专利]套刻精度量测图形的制作方法及套刻精度量测图形

权利要求书

1.一种套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，包括：

提供晶圆；

提供第一光刻胶层，所述第一光刻胶层具有多个平行排布的初始条状图形；

以所述第一光刻胶层为掩膜图形化所述晶圆，以将所述初始条状图形转移到所述晶圆上，形成第一目标图形；

提供第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有多个第一标记图形及第二标记图形，且所述第一标记图形沿第一方向延伸，所述第二标记图形沿第二方向延伸；

在形成所述第一目标图形之后，以所述第二光刻胶层为掩膜图形化所述第一目标图形，形成第二目标图形。

2.根据权利要求1所述的套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，在沿所述初始条状图形排布方向上，相邻的所述初始条状图形之间的间隙相等。

3.根据权利要求1所述的套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，所述初始条状图形的数量大于等于6。

4.根据权利要求1所述的套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，所述初始条状图形在所述晶圆表面的正投影图形为长方形，且所述初始条状图形的延伸方向与所述初始条状图形排布方向垂直。

5.根据权利要求4所述的套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，所述初始条状图形的延伸方向与所述第一方向相同，多个所述初始条状图形的排布方向与所述第二方向相同。

6.根据权利要求4所述的套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，所述初始条状图形的延伸方向相对于所述第一方向倾斜，多个所述初始条状图形的排布方向相对于所述第二方向倾斜。

7.根据权利要求5或6所述的套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，所述晶圆包括顺时针依次排布的第一光栅区、第二光栅区、第三光栅区以及第四光栅区；形成所述第二目标图形的方法包括：

以所述第二光刻胶层为掩膜，沿所述第一方向对所述第一光栅区以及所述第三光栅区的所述第一目标图形进行切断处理，沿所述第二方向对所述第二光栅区以及所述第四光栅区的所述第一目标图形进行切断处理，以形成所述第二目标图形。

8.根据权利要求6所述的套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，所述初始条状图形的延伸方向相对于所述第一方向倾斜的夹角在0-45°范围内，多个所述初始条状图形的排布方向与所述第二方向倾斜的夹角在0-45°范围内。

9.根据权利要求1所述的套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，所述初始条状图形在所述晶圆表面的正投影图形为环状跑道型。

10.根据权利要求1所述的套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶层具有中心点，且所述第一标记图形和所述第二标记图形沿所述中心点中心对称。

11.根据权利要求10所述的套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶层具有绕所述中心点顺时针分布的第一光栅单元、第二光栅单元、第三光栅单元及第四光栅单元，所述第一光栅单元与所述第三光栅单元均由多个间隔排布的所述第一标记图形组成，所述第二光栅单元与所述第四光栅单元均由多个间隔排布的所述第二标记图形组成。

12.根据权利要求1所述的套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，形成所述第二目标图形的方法包括：

填充相邻所述第一目标图形，以形成平坦区；

以所述第二光刻胶层为掩膜图形化所述平坦区，以将所述第一标记图形及所述第二标记图形转移到所述平坦区以形成第二目标图形。

13.根据权利要求1所述的套刻精度量测图形的制作方法，其特征在于，所述晶圆包括功能区及切割道区，所述切割道区位于相邻所述功能区之间，在所述切割道区形成所述第一目标图形以及所述第二目标图形。