[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法

说明书

一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中方法包括：形成第一晶圆，所述第一晶圆内具有存储区和位于所述存储区外的若干外围电容区，一个外围电容区包括若干外围电容，所述存储区包括若干存储库，各存储库包括若干内存组，所述若干内存组沿第一方向和第二方向呈阵列排布，各内存组包括若干存储单元，各存储单元包括一个存储电容；形成第二晶圆，所述第二晶圆内具有逻辑电路区，所述逻辑电路区包括若干第一外围区和一个第二外围区，所述若干第一外围区沿第一方向和第二方向呈阵列排布；将所述第一晶圆和第二晶圆键合，并使一个所述第一外围区与一个所述内存组电连接，提高芯片的集成水平。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种动态随机存取存储器及其形成方法。

背景技术

随着现今科技快速的发展，半导体存储器被广泛地应用于电子装置中。动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)属于一种挥发性存储器，动态随机存取存储器因为存取速度快，常用来作为高速缓冲存储器(Cache)。

动态随机存取存储器主要包括外围电路(periphery)和存储阵列(core)两部分。动态随机存取存储器的基本存储单元由一个存储晶体管和一个存储电容组成，而存储阵列由多个存储单元组成。随着集成电路制造技术的不断发展，使得每个晶片能够集成更多的芯片，需要引入新结构布局，以进一步缩小芯片尺寸，提高芯片密度。

综之，现有的动态随机存取存储器还有待改善。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种动态随机存取存储器及其形成方法，以缩小芯片尺寸，从而提高芯片密度。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种动态随机存取存储器，包括：第一晶圆，所述第一晶圆内具有存储区和所述存储区外的若干外围电容区，一个外围电容区包括若干外围电容，所述存储区包括若干存储库，各存储库包括若干内存组，所述若干内存组沿第一方向和第二方向呈阵列排布，各内存组包括若干存储单元，各存储单元包括一个存储电容；与所述第一晶圆相键合的第二晶圆，所述第二晶圆内具有逻辑电路区，所述逻辑电路区包括若干第一外围区和一个第二外围区，所述若干第一外围区沿第一方向和第二方向呈阵列排布，一个所述第一外围区与一个所述内存组电连接并控制所述内存组。

可选的，所述若干存储单元沿第一方向和第二方向呈阵列排布，各个所述存储电容的结构与各个所述外围电容的结构相同。

可选的，各个存储单元还包括晶体管、位线和字线，所述晶体管的漏区连接至所述位线，所述存储电容与所述晶体管的源区电连接；所述第一晶圆内具有若干重掺杂区，一个外围电容区内的若干外围电容与一个所述重掺杂区电连接。

可选的，所述存储电容包括第一电极层、第二电极层和位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的第一介电层。

可选的，一个外围电容区内的所述若干外围电容分为若干电容组，每个电容组内的外围电容之间并联，各电容组之间相串联。

可选的，所述外围电容包括第三电极层、第四电极层和位于所述第三电极层与所述第四电极层之间的第二介电层。

可选的，一个所述外围电容的第三电极层和另一个所述外围电容的第四电极层电连接，实现两个外围电容的串联。

可选的，各所述第一外围区包括解码器和驱动器区、传感放大器区。