[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：

第一晶圆，所述第一晶圆内具有存储区和所述存储区外的若干外围电容区，一个外围电容区包括若干外围电容，所述存储区包括若干存储库，各存储库包括若干内存组，所述若干内存组沿第一方向和第二方向呈阵列排布，各内存组包括若干存储单元，各存储单元包括一个存储电容；

与所述第一晶圆相键合的第二晶圆，所述第二晶圆内具有逻辑电路区，所述逻辑电路区包括若干第一外围区和一个第二外围区，所述若干第一外围区沿第一方向和第二方向呈阵列排布，一个所述第一外围区与一个所述内存组电连接并控制所述内存组。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述若干存储单元沿第一方向和第二方向呈阵列排布，各个所述存储电容的结构与各个所述外围电容的结构相同。

3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，各个存储单元还包括晶体管、位线和字线，所述晶体管的漏区连接至所述位线，所述存储电容与所述晶体管的源区电连接；所述第一晶圆内具有若干重掺杂区，一个外围电容区内的若干外围电容与一个所述重掺杂区电连接。

4.如权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述存储电容包括第一电极层、第二电极层和位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的第一介电层。

5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，一个外围电容区内的所述若干外围电容分为若干电容组，每个电容组内的外围电容之间并联，各电容组之间相串联。

6.如权利要求5所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述外围电容包括第三电极层、第四电极层和位于所述第三电极层与所述第四电极层之间的第二介电层。

7.如权利要求6所述的动态随机存取存储器，其特征在于，一个所述外围电容的第三电极层和另一个所述外围电容的第四电极层电连接，实现两个外围电容的串联。

8.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，各所述第一外围区包括解码器和驱动器区、传感放大器区。

9.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：

形成第一晶圆，所述第一晶圆内具有存储区和位于所述存储区外的若干外围电容区，一个外围电容区包括若干外围电容，所述存储区包括若干存储库，各存储库包括若干内存组，所述若干内存组沿第一方向和第二方向呈阵列排布，各内存组包括若干存储单元，各存储单元包括一个存储电容；形成第二晶圆，所述第二晶圆内具有逻辑电路区，所述逻辑电路区包括若干第一外围区和一个第二外围区，所述若干第一外围区沿第一方向和第二方向呈阵列排布；

将所述第一晶圆和第二晶圆键合，并使一个所述第一外围区与一个所述内存组电连接。

10.如权利要求9所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述若干存储单元沿第一方向和第二方向呈阵列排布，各个所述存储电容的结构与各个所述外围电容的结构相同。

11.如权利要求10所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，各个存储单元还包括晶体管、位线和字线，所述晶体管的漏区连接至所述位线，所述存储电容与所述晶体管的源区电连接。

12.如权利要求11所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第一晶圆的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；在所述第一区内形成的若干所述晶体管；在所述第二区内形成若干重掺杂区；形成若干所述晶体管和所述若干重掺杂区后，在所述衬底表面形成所述若干存储电容和所述若干外围电容区，一个外围电容区内的若干外围电容与一个重掺杂区电连接。