[发明专利]一种以金纳米团簇为发光体实施缺陷诱导型单色电化学发光免疫分析的方法

权利要求书

1.一种完全由缺陷诱导ECL发光的金纳米团簇，其特征在于，该金纳米团簇采用含巯基的长直链烷酸为配体对金纳米团簇进行包被，所述的含巯基的长直链烷酸的直链碳数为7以上，优选8-12。

2.根据权利要求1所述的完全由缺陷诱导ECL发光的金纳米团簇，其特征在于，所述的含巯基的长直链烷酸为11-巯基十一烷酸。

3.权利要求1所述的完全由缺陷诱导ECL发光的金纳米团簇的制备方法，包括步骤如下：

以氯金酸为金源，四羟甲基氯化磷为还原剂合成非光致发光的金纳米团簇；然后以11-巯基十一烷酸为配体进行包被，制备得到金纳米团簇(MUA-AuNCs)。

4.根据权利要求3所述的完全由缺陷诱导ECL发光的金纳米团簇的制备方法，其特征在于，所述的金纳米团簇(MUA-AuNCs)的制备过程如下：

(a)将氢氧化钠(NaOH)溶液、四羟甲基氯化磷(THPC)溶液和氯金酸(HAuCl₄·3H₂O)溶液混合均匀，冰水浴搅拌，得到金前驱溶液；

(b)将11-巯基十一烷酸溶液加入金前驱溶液，并加入硼砂缓冲液，黑暗静置；然后经离心、洗涤即得MUA-AuNCs。

5.根据权利要求4所述的完全由缺陷诱导ECL发光的金纳米团簇的制备方法，其特征在于，11-巯基十一烷酸包被的金纳米团簇(MUA-AuNCs)的制备过程中，条件如下：

步骤(a)中冰水浴搅拌时间为10-20min；

步骤(a)中氯金酸的浓度为80-100mmol/L；

步骤(b)中11-巯基十一烷酸与步骤(a)中氯金酸的摩尔比为5-20：2；

步骤(b)中黑暗静置的反应时间为70-90h。

6.基于11-巯基十一烷酸包被的金纳米团簇MUA-AuNCs的电化学发光体系，包括：

11-巯基十一烷酸包被的金纳米团簇MUA-AuNCs为发光物质、水合肼为共反应剂。

7.基于11-巯基十一烷酸包被的金纳米团簇MUA-AuNCs电化学发光免疫传感器，包括：工作电极，所述的工作电极表面修饰有包含11-巯基十一烷酸包被的金纳米团簇MUA-AuNCs的夹心型免疫复合物。

8.基于11-巯基十一烷酸包被的金纳米团簇MUA-AuNCs电化学发光免疫传感器的制备方法，包括步骤如下：

(1)以氯金酸为金源，四羟甲基氯化磷为还原剂合成非光致发光的金纳米团簇；然后以11-巯基十一烷酸为配体进行包被，制备得到金纳米团簇(MUA-AuNCs)溶液；

(2)制备11-巯基十一烷酸包被的金纳米团簇标记的二抗，即MUA-AuNCs|Ab₂；

(3)以玻碳电极为工作电极，采用在电极表面形成夹心型免疫复合物的形式，将MUA-AuNCs|Ab₂枝接并固定在玻碳电极表面，制备得到电化学发光免疫传感器。