[发明专利]一种芯片电子超纯水系统工艺及其系统装置

权利要求书

1.一种芯片电子超纯水系统工艺，其特征在于：

芯片电子超纯水系统包括芯片电子废水收集箱（1），芯片电子废水收集箱（1）的出水端连通有增压泵（2）的进水端、增压泵（2）的出水端连通有叠片过滤器（3）的进水端，叠片过滤器（3）的出水端连通有耐污染UF装置（4）的进水端，耐污染UF装置（4）的出水端连通有中间水箱（5）的进水端；

芯片电子废水通过增压泵（2）提升后经过叠片过滤器（3）过滤，然后进入耐污染UF装置（4）进行过滤；所述耐污染UF装置（4）为聚砜材质的有机内压管式超滤装置，有机内压管式超滤装置过滤方式为死端过滤或错流过滤，有机内压管式超滤装置浓水端采用浓水循环方式。

2.根据权利要求1所述的一种芯片电子超纯水系统工艺，其特征在于：所述耐污染UF装置（4）进水量为产水量的2-4倍，超滤装置（4）连接的循环泵（13）的循环量为总进水量60-70%，超滤装置（4）浓水量约为总进水量2-4%；

过滤精度≤30nm；

出水浊度≤0.2 NTU；

出水SDI2.5；

悬浮物0.5 mg/L。

3.根据权利要求1-2任一项所述的一种芯片电子超纯水系统工艺用系统装置，其特征在于：中间水箱（5）的出水端还连接有反洗泵（15），反洗泵（15）的出水端连接有耐污染UF装置（4）的进水端，耐污染UF装置（4）的出水端还连接有循环泵（13），循环泵（13）的出水端与叠片过滤器（3）和耐污染UF装置（4）之间的连接管路连通。

4.根据权利要求3所述的一种芯片电子超纯水系统工艺用系统装置，其特征在于：中间水箱（5）的出水端连通有RO增压泵（6）的进水端，RO增压泵（6）的出水端连通有超滤水净化装置（7）的进水端，超滤水净化装置（7）的出水端连通有保安过滤器（8）的进水端，保安过滤器（8）的出水端连通有高压泵（9）的进水端，高压泵（9）的出水端连通有抗污染RO装置（10）的进水端，抗污染RO装置（10）的出水端连通有RO产水水箱（11）；所述超滤水净化装置（7）与所述保安过滤器（8）之间的连接管路连通有氢氧化钠加药管（14）；耐污染UF装置（4）的浓水端连接有硅粉回收集成装置（12）。

5.根据权利要求4所述的一种芯片电子超纯水系统工艺用系统装置，其特征在于：所述硅粉回收集成装置（12）包括浓水收集箱（121）、气动隔膜泵（122）、压滤机（123）、滤液水箱（124）、滤液水泵（125）和硅泥外运机（126）；所述压滤机（123）包括压滤机出水端（1231）和压滤机出泥端（1232）。

6.根据权利要求5所述的一种芯片电子超纯水系统工艺用系统装置，其特征在于：所述浓水收集箱（121）的进水端与耐污染UF装置（4）的浓水端连通，浓水收集箱（121）的出水端与气动隔膜泵（122）的进水端连通，气动隔膜泵（122）的出水端与压滤机（123）的进水端连通，压滤机出水端（1231）与滤液水箱（124）的进水端连通，滤液水箱（124）的出水端与滤液水泵（125）的进水端连通，滤液水泵（125）的出水端与芯片电子废水收集箱（1）的进水端相连通，压滤机出泥端（1232）连接有硅泥外运机（126）。

7.根据权利要求6所述的一种芯片电子超纯水系统工艺用系统装置，其特征在于：抗污染RO装置（10）的出水端连接有2B3T设备，所述的2B3T设备为阳离子交换床、阴离子交换床及脱气塔设备，所述阳离子交换床和阴离子交换床采用双室浮动床结构，阳树脂采用Marathon-C，阴树脂采用Marathon-A，混床树脂颗粒为550±50um，填充密度为750±50g/L；

双室浮动床（16）包括罐体，所述罐体的内腔中设有三个多孔板（167），靠上的二个所述多孔板（167）与所述罐体侧壁之间形成上浮动室，所述上浮动室内装填有强性树脂；靠下的二个所述多孔板（167）与所述罐体的侧壁之间形成下浮动室，所述下浮动室内装填有弱性树脂。