[发明专利]半导体封装件和形成半导体封装件的方法

说明书

半导体封装件包括第一管芯、第二管芯、密封材料和再分布结构。第二管芯设置在第一管芯上方并且包括接合至第一管芯的多个接合焊盘、延伸穿过第二管芯的衬底的多个贯通孔以及多个对准标记，其中多个对准标记中的相邻两个对准标记之间的节距不同于多个贯通孔中的相邻两个贯通孔之间的节距。密封材料设置在第一管芯上方并且至少横向密封第二管芯。再分布结构设置在第二管芯和密封材料上方并且电连接至多个贯通孔。本发明的实施例还涉及形成半导体封装件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体封装件和形成半导体封装件的方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层，以及使用光刻图案化各个层以在各个层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造许多集成电路。晶圆的管芯可以在晶圆级进行处理和封装，并且已经开发了用于晶圆级封装的各种技术。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体封装件，包括：第一管芯，其中，所述第一管芯包括第一接合焊盘；第二管芯，设置在所述第一管芯上方，其中，所述第二管芯包括第二接合焊盘，其中，所述第一接合焊盘接合至所述第二接合焊盘，其中，所述第二管芯包括衬底和延伸穿过所述衬底的多个贯通孔，其中，所述第二管芯包括多个对准标记，其中，所述多个对准标记中的相邻两个对准标记之间的节距不同于所述多个贯通孔中的相邻两个贯通孔之间的节距；密封材料，设置在所述第一管芯上方，所述密封材料横向密封所述第二管芯；以及再分布结构，设置在所述第二管芯和所述密封材料上方，其中，所述再分布结构包括导电部件，其中，所述导电部件电连接至所述多个贯通孔中的相应贯通孔。

本发明的另一实施例提供了一种半导体封装件，包括：第一管芯；第二管芯，设置在所述第一管芯上方并且接合至所述第一管芯，其中，所述第二管芯包括衬底和延伸穿过所述衬底的多个贯通孔，其中，所述第二管芯包括多个对准标记，其中，所述多个对准标记的深度不同于所述多个贯通孔的深度；第一密封材料，横向密封所述第一管芯和所述第二管芯；以及第一再分布结构，设置在所述第二管芯和所述第一密封材料上方，其中，所述第一再分布结构包括电连接至所述第一管芯和所述第二管芯的第一导电部件。

本发明的又一实施例提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：将第一管芯接合至第二管芯，其中，所述第一管芯包括多个第一接合焊盘，其中，所述第二管芯包括接合至所述多个第一接合焊盘中的相应第一接合焊盘的多个第二接合焊盘，其中，所述第二管芯包括电连接至所述多个第二接合焊盘中的相应第二接合焊盘的多个贯通孔；在所述第一管芯上方形成密封材料，其中，所述密封材料横向密封所述第二管芯；在所述第二管芯上形成多个对准标记，其中，所述多个对准标记中的相邻的两个对准标记之间的节距不同于所述多个贯通孔中的相邻的两个贯通孔之间的节距；以及在所述第二管芯和所述密封材料上方形成再分布结构。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图10示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装件的制造中的中间阶段的截面图。

图11示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装件的对准标记的示意图。

图12至图16示出了根据本发明的一些实施例的各个对准标记的示意顶视图。

图17示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装件的制造中的中间阶段的示意截面图。

图18示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装件的制造中的中间阶段的示意截面图。

图19示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装件的制造中的中间阶段的示意截面图。