[发明专利]半导体封装件和形成半导体封装件的方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一管芯，其中，所述第一管芯包括第一接合焊盘；

第二管芯，设置在所述第一管芯上方，其中，所述第二管芯包括第二接合焊盘，其中，所述第一接合焊盘接合至所述第二接合焊盘，其中，所述第二管芯包括衬底和延伸穿过所述衬底的多个贯通孔，其中，所述第二管芯包括多个对准标记，其中，所述多个对准标记中的相邻两个对准标记之间的节距不同于所述多个贯通孔中的相邻两个贯通孔之间的节距；

密封材料，设置在所述第一管芯上方，所述密封材料横向密封所述第二管芯；以及

再分布结构，设置在所述第二管芯和所述密封材料上方，其中，所述再分布结构包括导电部件，其中，所述导电部件电连接至所述多个贯通孔中的相应贯通孔。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个对准标记中的每个的深度不同于所述多个贯通孔中的每个的深度。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二管芯还包括设置在所述第二管芯的所述衬底和所述再分布结构之间的隔离层，其中，所述多个贯通孔延伸穿过所述隔离层。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述多个对准标记从面向所述再分布结构的所述隔离层的上表面延伸并且朝向所述衬底延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，从顶视图观察，所述多个对准标记不与所述再分布结构的所述导电部件重叠。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述再分布结构包括从顶视图观察与所述多个对准标记重叠的对准图案，其中，所述对准图案包括导电材料。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述再分布结构包括介电材料，其中，所述再分布结构的所述介电材料和所述多个对准标记包括单个连续层。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个对准标记包括导电材料。

9.一种半导体封装件，包括：

第一管芯；

第二管芯，设置在所述第一管芯上方并且接合至所述第一管芯，其中，所述第二管芯包括衬底和延伸穿过所述衬底的多个贯通孔，其中，所述第二管芯包括多个对准标记，其中，所述多个对准标记的深度不同于所述多个贯通孔的深度；

第一密封材料，横向密封所述第一管芯和所述第二管芯；以及

第一再分布结构，设置在所述第二管芯和所述第一密封材料上方，其中，所述第一再分布结构包括电连接至所述第一管芯和所述第二管芯的第一导电部件。

10.一种形成半导体封装件的方法，包括：

将第一管芯接合至第二管芯，其中，所述第一管芯包括多个第一接合焊盘，其中，所述第二管芯包括接合至所述多个第一接合焊盘中的相应第一接合焊盘的多个第二接合焊盘，其中，所述第二管芯包括电连接至所述多个第二接合焊盘中的相应第二接合焊盘的多个贯通孔；

在所述第一管芯上方形成密封材料，其中，所述密封材料横向密封所述第二管芯；

在所述第二管芯上形成多个对准标记，其中，所述多个对准标记中的相邻的两个对准标记之间的节距不同于所述多个贯通孔中的相邻的两个贯通孔之间的节距；以及

在所述第二管芯和所述密封材料上方形成再分布结构。