[发明专利]一种驱动半桥电路的驱动电路和驱动电源在审

专利信息
申请号: 202210026315.8 申请日: 2022-01-11
公开(公告)号: CN114448258A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 王宗友;李国练 申请(专利权)人: 广东省崧盛电源技术有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/08;H02M1/32
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 冯小梅
地址: 528400 广东省中*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 驱动 电路 电源
【说明书】:

发明涉及一种驱动半桥电路的驱动电路和驱动电源,包括:驱动信号发生单元、第一驱动单元、第二驱动单元以及半桥单元;驱动信号发生单元分别与第一驱动单元和第二驱动单元连接,第一驱动单元和第二驱动单元分别与半桥单元连接,且第一驱动单元与第二驱动单元相互独立;驱动信号发生单元分别产生第一脉冲信号和第二脉冲信号;第一驱动单元对第一脉冲信号进行处理并输出第一驱动信号、以驱动半桥单元;第二驱动单元对第二脉冲信号进行处理并输出第二驱动信号、以驱动半桥单元。本发明采用独立的驱动单元对驱动MOS管,可以有效避免在MOS管的死区时间内存在波动电压而导致上下管同时导通引起炸管的问题,同时,还避免驱动波形上下漂浮震荡。

技术领域

本发明涉及电源的技术领域,更具体地说,涉及一种驱动半桥电路的驱动电路和驱动电源。

背景技术

在驱动电源,如LED驱动电源中,传统的隔离驱动电路在启动瞬间特别是高频300~400k启动(例如LLC半桥转换器)以及大动态,由于耦合隔离电容CA的存在会和驱动变压器的初级电感形成LC振荡,会使得整个驱动波形上下漂浮震荡。这样就会造成加在MOSFET的VGS电压欠驱动(驱动脉冲幅度不足)或者过驱动(驱动脉冲幅度超出),这样的驱动脉冲非常容易造成MOSFET的损坏。

另外,由于LC震荡的原因导致驱动波形上下漂浮震荡还会引起下管MOSFET的VGS在死区时间内依然会有一个3V左右的电压,这个电压足以驱动MOSFET导通,进而导致上下管MOSFET同时导通引起炸管。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的缺陷,提供一种驱动半桥电路的驱动电路和驱动电源。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种驱动半桥电路的驱动电路,包括:驱动信号发生单元、第一驱动单元、第二驱动单元以及半桥单元;

所述驱动信号发生单元分别与所述第一驱动单元和所述第二驱动单元连接,所述第一驱动单元和所述第二驱动单元分别与所述半桥单元连接,且所述第一驱动单元与所述第二驱动单元相互独立;

所述驱动信号发生单元用于分别产生第一脉冲信号和第二脉冲信号;

所述第一驱动单元用于对所述第一脉冲信号进行处理并输出第一驱动信号、以驱动所述半桥单元;

所述第二驱动单元用于对所述第二脉冲信号进行处理并输出第二驱动信号、以驱动所述半桥单元。

在本发明所述的驱动半桥电路的驱动电路中,所述第一驱动单元包括:第一开关模块、第一耦合模块以及第一限流模块;

所述第一开关模块的输入端与所述驱动信号发生单元的第一输出端连接,所述第一开关模块的输出端与所述第一耦合模块的输入端连接,所述第一耦合模块的输出端与所述第一限流模块的输入端连接,所述第一限流模块的输出端与所述半桥单元连接。

在本发明所述的驱动半桥电路的驱动电路中,所述第一驱动单元还包括:第一磁复位模块和第一放电隔离模块;

所述第一磁复位模块分别与所述第一开关模块和所述第一耦合模块连接,用于在所述第一开关模块截止时,对所述第一耦合模块进行磁复位;

所述第一放电隔离模块分别与所述第一限流模块和所述第一耦合模块连接,用于在所述第一耦合模块的输出端的极性反转时导通以形成放电回路。

在本发明所述的驱动半桥电路的驱动电路中,所述第一开关模块包括:第一电阻、第二电阻和第三MOS管;所述第一耦合模块包括:第一变压器;所述第一限流模块包括:第五电阻和第六电阻;所述半桥单元包括:第二MOS管;

所述第一电阻的第一端连接所述驱动信号发生单元的第一输出端,所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端并连接所述第三MOS管的栅极,所述第二电阻的第二端和所述第三MOS管的源极接地;

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