[发明专利]一种驱动半桥电路的驱动电路和驱动电源在审

专利信息
申请号: 202210026315.8 申请日: 2022-01-11
公开(公告)号: CN114448258A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 王宗友;李国练 申请(专利权)人: 广东省崧盛电源技术有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/08;H02M1/32
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 冯小梅
地址: 528400 广东省中*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 驱动 电路 电源
【权利要求书】:

1.一种驱动半桥电路的驱动电路,其特征在于,包括:驱动信号发生单元、第一驱动单元、第二驱动单元以及半桥单元;

所述驱动信号发生单元分别与所述第一驱动单元和所述第二驱动单元连接,所述第一驱动单元和所述第二驱动单元分别与所述半桥单元连接,且所述第一驱动单元与所述第二驱动单元相互独立;

所述驱动信号发生单元用于分别产生第一脉冲信号和第二脉冲信号;

所述第一驱动单元用于对所述第一脉冲信号进行处理并输出第一驱动信号、以驱动所述半桥单元;

所述第二驱动单元用于对所述第二脉冲信号进行处理并输出第二驱动信号、以驱动所述半桥单元。

2.根据权利要求1所述的驱动半桥电路的驱动电路,其特征在于,所述第一驱动单元包括:第一开关模块、第一耦合模块以及第一限流模块;

所述第一开关模块的输入端与所述驱动信号发生单元的第一输出端连接,所述第一开关模块的输出端与所述第一耦合模块的输入端连接,所述第一耦合模块的输出端与所述第一限流模块的输入端连接,所述第一限流模块的输出端与所述半桥单元连接。

3.根据权利要求2所述的驱动半桥电路的驱动电路,其特征在于,所述第一驱动单元还包括:第一磁复位模块和第一放电隔离模块;

所述第一磁复位模块分别与所述第一开关模块和所述第一耦合模块连接,用于在所述第一开关模块截止时,对所述第一耦合模块进行磁复位;

所述第一放电隔离模块分别与所述第一限流模块和所述第一耦合模块连接,用于在所述第一耦合模块的输出端的极性反转时导通以形成放电回路。

4.根据权利要求3所述的驱动半桥电路的驱动电路,其特征在于,所述第一开关模块包括:第一电阻、第二电阻和第三MOS管;所述第一耦合模块包括:第一变压器;所述第一限流模块包括:第五电阻和第六电阻;所述半桥单元包括:第二MOS管;

所述第一电阻的第一端连接所述驱动信号发生单元的第一输出端,所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端并连接所述第三MOS管的栅极,所述第二电阻的第二端和所述第三MOS管的源极接地;

所述第三MOS管的漏极连接所述第一变压器的初级绕组的第二端,所述第一变压器的初级绕组的第一端连接所述第一电阻的第一端;

所述第一变压器的次级绕组的第一端连接所述第五电阻的第一端,所述第五电阻的第二端连接所述第六电阻的第一端,所述第六电阻的第二端连接所述第二MOS管的栅极,所述第二MOS管的漏极连接高电平,所述第二MOS管的源极通过连接第七电阻的第二端,所述第七电阻的第一端连接所述第二MOS管的栅极。

5.根据权利要求4所述的驱动半桥电路的驱动电路,其特征在于,所述第一磁复位模块包括:第一二极管;所述第一放电隔离模块包括:第五MOS管和第三二极管;

所述第一二极管的阳极连接所述第三MOS管的漏极,所述第一二极管的阴极连接VCC;

所述第五MOS管的栅极连接所述第一变压器的次级绕组的第二端,所述第五MOS管的源极连接所述第三二极管的阳极和所述第七电阻的第二端,所述第五MOS管的漏极连接所述第五电阻的第二端,所述第三二极管的阴极连接所述第一变压器的次级绕组的第二端。

6.根据权利要求4所述的驱动半桥电路的驱动电路,其特征在于,所述第二驱动单元包括:第二开关模块、第二耦合模块和第二限流模块;

所述第二开关模块的输入端与所述驱动信号发生单元的第二输出端连接,所述第二开关模块的输出端与所述第二耦合模块的输入端连接,所述第二耦合模块的输出端与所述第二限流模块的输入端连接,所述第二限流模块的输出端与所述半桥单元连接。

7.根据权利要求6所述的驱动半桥电路的驱动电路,其特征在于,第二驱动单元还包括:第二磁复位模块和第二放电隔离模块;

所述第二磁复位模块分别与所述第二开关模块和所述第二耦合模块连接,用于在所述第二开关模块截止时,对所述第二耦合模块进行磁复位;

所述第二放电隔离模块分别与所述第二限流模块和所述第二耦合模块连接,用于在所述第二耦合模块的输出端的极性反转时导通以形成放电回路。

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