[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底被划分为阵列区及外围区，所述基底包括衬底、置于所述衬底上的第一图案层，所述第一图案层包括沿第一方向间隔排列的第一牺牲条及第一间隔条；

于所述第一图案层上形成第二图案层，所述第二图案层包括沿第二方向间隔设置的第二牺牲条，所述第一方向与所述第二方向呈锐角夹角；

形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述第二牺牲条表面及所述第一图案层的暴露表面；

形成掩膜层，所述掩膜层覆盖位于所述外围区的覆盖层的表面；

形成补充层，在所述阵列区与所述外围区的交界处，所述补充层填充所述掩膜层侧面与相邻的所述覆盖层之间的空隙；

以所述掩膜层为掩膜，去除部分所述覆盖层，保留位于所述第二牺牲条侧壁的覆盖层，形成第二间隔条；

去除所述第二牺牲条、所述掩膜层及所述第一牺牲条，在所述阵列区，形成由第一间隔条及第二间隔条界定的初始图案；

将所述初始图案转移到所述衬底中，形成目标图案。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成补充层的步骤进一步包括：

形成补充材料层，所述补充材料层覆盖所述覆盖层及所述掩膜层表面；

去除部分所述补充材料层，保留填充在所述掩膜层侧面与相邻的所述覆盖层之间的空隙处的补充材料层，作为所述补充层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除部分所述补充材料层的步骤与去除部分所述覆盖层的步骤在同一刻蚀步骤中进行。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述补充层与所述覆盖层的材料相同。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述补充层采用原子层沉积工艺形成。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在形成第二间隔条的步骤中，在阵列区与外围区的交界处，所述第二牺牲条侧壁的覆盖层及所述补充层共同作为所述第二间隔条。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成掩膜层的步骤进一步包括：

形成掩膜材料层，所述掩膜材料层覆盖所述覆盖层，并填充所述第二牺牲条之间的间隔；

去除所述阵列区的掩膜材料层，形成所述掩膜层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述基底还包括置于所述衬底与所述第一图案层之间的隔离层，将所述初始图案转移到所述衬底中，形成目标图案的步骤进一步包括：

以所述第一间隔条及第二间隔条为掩膜，将所述初始图案转移到所述隔离层中，形成中间图案；

以所述隔离层为掩膜，将所述中间图案转移到所述衬底中。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述基底还包括置于所述隔离层与所述第一图案层之间的第一抗反射层，在以所述第一间隔条及第二间隔条为掩膜，将所述初始图案转移到所述隔离层中，形成中间图案的步骤中，所述第一抗反射层也被图案化。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述第一图案层的方法包括如下步骤：

在所述衬底上形成沿所述第一方向延伸的初始牺牲条；

在所述初始牺牲条侧壁形成第一间隔条；

去除所述初始牺牲条；

在所述第一间隔条之间填充隔离物，形成第一牺牲条。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一图案层上还形成有第二抗反射层，所述第二图案层形成在所述第二抗反射层上，在去除所述第二牺牲条后，还包括去除所述第二牺牲条下方的第二抗反射层的步骤。