[发明专利]均衡电路结构及其制造方法、感测放大及存储电路结构

权利要求书

1.一种均衡电路结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，包括均衡有源区；

栅极层，包括栅极图形以及电源线，所述栅极图形位于所述均衡有源区上，用于与所述均衡有源区形成晶体管单元，所述电源线电连接所述均衡有源区与外部电源，用于为所述晶体管单元提供电源。

2.根据权利要求1所述的均衡电路结构，其特征在于，所述均衡电路结构还包括互连结构，所述互连结构与所述电源线以及所述均衡有源区均连接。

3.根据权利要求2所述的均衡电路结构，其特征在于，所述均衡电路结构还包括第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底以及所述栅极层，且所述第一介质层内具有接触孔，所述互连结构位于所述接触孔内。

4.根据权利要求3所述的均衡电路结构，其特征在于，所述均衡电路结构还包括第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层以及所述互连结构。

5.根据权利要求4所述的均衡电路结构，其特征在于，所述均衡电路结构还包括走线层，所述走线层包括多条走线，且位于所述第二介质层上。

6.根据权利要求3所述的均衡电路结构，其特征在于，所述半导体衬底还包括浅沟槽隔离结构，所述电源线部分位于所述均衡有源区上，部分位于连接所述均衡有源区的所述浅沟槽隔离结构上。

7.根据权利要求1-6任一项所述的均衡电路结构，其特征在于，所述均衡电路结构还包括栅介质层，所述栅介质层位于所述栅极层与所述半导体衬底之间以及所述电源线与所述半导体衬底之间。

8.根据权利要求1-6任一项所述的均衡电路结构，其特征在于，所述均衡电路结构还包括侧壁保护层，所述侧壁保护层位于栅极图形以及所述电源线两侧。

9.根据权利要求1-6任一项所述的均衡电路结构，其特征在于，所述电源线接触所述均衡有源区。

10.根据权利要求1-6任一项所述的均衡电路结构，其特征在于，所述栅极层包括多晶硅层，所述电源线位于所述多晶硅层。

11.一种均衡电路结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有均衡有源区；

于所述均衡有源区上方形成栅极层，所述栅极层包括栅极图形以及电源线，所述栅极图形用于与所述均衡有源区形成晶体管单元，所述电源线电连接所述均衡有源区与外部电源，用于为所述晶体管单元提供电源。

12.根据权利要求11所述的均衡电路结构的制造方法，其特征在于，还包括：

形成互连结构，所述互连结构与所述电源线以及所述均衡有源区均连接。

13.根据权利要求12所述的均衡电路结构的制造方法，其特征在于，所述形成互连结构，将所述电源线与所述均衡有源区连接，包括：

于所述半导体衬底以及所述栅极层上形成第一介质层；

于所述第一介质层内形成接触孔；

于所述接触孔内形成互连结构。

14.根据权利要求13所述的均衡电路结构的制造方法，其特征在于，所述于所述接触孔内形成互连结构之后，还包括：

于所述第一介质层以及所述互连结构上形成第二介质层。

15.根据权利要求14所述的均衡电路结构的制造方法，其特征在于，所述于所述第一介质层以及所述互连结构上形成第二介质层之后，还包括：

于所述第二介质层上形成走线层，所述走线层包括多条走线。

16.一种感测放大电路结构，其特征在于，包括放大电路结构以及权利要求1-10任一项所述的均衡电路结构。

17.一种存储电路结构，其特征在于，包括存储单元以及权利要求16所述的感测放大电路结构。