[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210007493.6 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114497203A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 朱峯庆;杨丰诚;姜慧如;林仲德;陈介方 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
衬底；
介电堆叠件，位于所述衬底上方，所述介电堆叠件包括：
第一层，位于所述衬底上方；以及
第二层，位于所述第一层上方；
栅极层，插入所述介电堆叠件中并且包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分从顶部至底部延伸穿过所述第二层，并且其中，所述第二部分在所述第一层和所述第二层之间横向延伸，以位于所述第一层上面并且位于所述第二层下面；以及
半导体沟道层，符合所述栅极层的轮廓并且包裹所述第二部分以将所述第二部分与所述介电堆叠件分隔开。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体沟道层位于所述第二突起的三个不同侧上。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：导电部件，从顶部至底部延伸穿过所述第二层，其中，所述第二部分横向位于所述导电部件和所述第一部分之间并且邻接所述导电部件和所述第一部分。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述导电部件的底面位于比所述第一层的顶面的水平面低的水平面处。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第一层在闭合路径中横向延伸以围绕所述导电部件。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：第一高k材料，与所述第二层的底面直接接触并且将所述第二部分与所述介电堆叠件分隔开。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述第一高k材料包括连接在所述第二层的底面和所述第一层的顶面之间的侧壁，并且其中，所述第一高k材料的侧壁和所述第二层的底面之间的角度在80度至90度的范围内。
8.一种半导体结构，包括：
衬底；
介电堆叠件，位于所述衬底上方，所述介电堆叠件包括：
第一层，位于所述衬底上方；以及
第二层，位于所述第一层上方；
栅极层，从顶部至底部延伸穿过所述介电堆叠件并且具有交叉形状轮廓；以及
第一高k材料，与所述第二层的底面直接接触并且将所述栅极层与所述介电堆叠件分隔开。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，还包括：沟道层，符合所述第一高k材料的内侧壁，并且将所述栅极层与所述第一高k材料分隔开。
10.一种用于形成半导体结构的方法，包括：
在衬底上方形成第一层，其中，所述第一层包括第一材料；
在所述第一层上方形成牺牲层，其中，所述牺牲层包括与所述第一材料不同的第二材料；
在所述牺牲层上方形成第二层；
形成第一凹槽以暴露所述牺牲层的侧壁；
从所述侧壁横向去除所述牺牲层的部分；以及
在所述第一凹槽中形成栅极材料，其中，所述栅极材料位于所述第二层下面并且位于所述第一层上面。
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