[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置在审
申请号: | 202180076552.9 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN116490956A | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 远藤亨;犹原英司;冲田有史;东克荣;山口贵大;冢原隆太;石丸慧 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 王佳媛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
1.一种基板处理方法,其中,包括:
基板保持工序,将基板保持在被筒状的防护罩包围的保持位置;
处理液供给工序,一边使被保持在所述保持位置的所述基板绕穿过所述基板的中央部的旋转轴线旋转,一边将处理所述基板的被处理面的处理液供给至所述基板的被处理面;
图像取得工序,在对所述基板的被处理面供给处理液的期间,取得所述基板的被处理面的图像以及所述防护罩的内壁面的图像;以及
检测工序,监视在所述图像取得工序中取得的图像的亮度值,并检测处理结束时间点,所述处理结束时间点为处理液对所述基板的被处理面的处理结束的时间点。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,所述检测工序包括下述工序:
将在所述图像取得工序中取得的所述基板的被处理面的图像的亮度值以及在所述图像取得工序中取得的所述防护罩的内壁面的图像的亮度值中的任意一方产生了规定的变化的时间点作为所述处理结束时间点进行检测。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,所述检测工序包括下述工序:
将以下的两个时间点中的较早的任意一方作为所述处理结束时间点进行检测,所述两个时间点分别为,在所述图像取得工序中取得的所述基板的被处理面的图像的亮度值以及在所述图像取得工序中取得的所述防护罩的内壁面的图像的亮度值中的一方产生了规定的变化后,在所述图像取得工序中取得的所述基板的被处理面的亮度值以及在所述图像取得工序中取得的所述防护罩的内壁面的图像的亮度值中的另一方产生了规定的变化的时间点,以及从在所述图像取得工序中取得的所述基板的被处理面的图像的亮度值以及在所述图像取得工序中取得的所述防护罩的内壁面的图像的亮度值中的一方产生了所述规定的变化的时间点起经过了规定的预备时间后的时间点。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法,其中,还包括:
加热工序,加热所述基板的被处理面上的处理液;
加热弱化工序,在检测到所述处理结束时间点的情况下,一边维持向所述基板的被处理面供给处理液,一边减弱对所述基板的被处理面上的处理液的加热;以及
冲洗供给工序,在所述加热弱化工序之后,停止向所述基板的被处理面供给处理液,将冲洗所述基板的被处理面上的处理液的冲洗液供给至所述基板的被处理面。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法,其中,还包括:
排液工序,将从所述基板飞散的处理液排出至排液流路;以及
流路切换工序,在检测到所述处理结束时间点的情况下,将从所述基板飞散的处理液的排出目的地从排液流路切换为回收流路。
6.一种基板处理方法,其中,包括:
基板保持工序,将基板保持在被筒状的防护罩包围的保持位置,
处理液供给工序,一边使被保持在所述保持位置的所述基板绕穿过所述基板的中央部的旋转轴线旋转,一边将处理所述基板的被处理面的处理液供给至所述基板的被处理面,
图像取得工序,在对所述基板的被处理面供给处理液的期间,取得所述基板的被处理面的图像以及所述防护罩的内壁面的图像,以及
判定工序,判定在所述图像取得工序中取得的图像的亮度值是否产生了规定的变化;
在从亮度值的监视的开始时间点到经过规定的通知时间为止,在所述图像取得工序中取得的图像的亮度值未产生规定的变化的情况下,执行通知工序,所述通知工序通知在所述图像取得工序中取得的图像的亮度值未产生规定的变化,在从所述开始时间点到经过所述通知时间为止,在所述图像取得工序中取得的图像的亮度值产生了规定的变化的情况下,执行检测工序,所述检测工序检测处理液对所述基板的被处理面的处理结束的处理结束时间点。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法,其中,
连续地处理多片基板,
所述通知时间为基于处理完毕的基板的处理结束时间点所计算出的时间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造