[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

导电结构；

环状结构，所述环状结构延伸穿过所述导电结构，所述环状结构包括介电材料；以及

活性材料结构，所述活性材料结构给所述环状结构的内部周边加内衬，所述活性材料结构包括二维材料。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述环状结构和所述活性材料结构具有位于所述导电结构的上表面上方的上表面；并且所述集成组合件进一步包括导电材料，所述导电材料位于所述环状结构和所述活性材料结构的所述上表面之上并且封盖所述活性材料结构的内部区域。

3.根据权利要求2所述的集成组合件，其包括位于所述内部区域内的空隙。

4.根据权利要求3所述的集成组合件，其中所述空隙还被所述活性材料结构的跨所述空隙的顶部延伸的区域封盖。

5.根据权利要求2所述的集成组合件，其包括位于所述内部区域内的绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述绝缘材料包括二氧化硅。

7.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述绝缘材料包括一或多种高k组合物。

8.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述活性材料结构的一部分被配置为位于所述环状结构的所述上表面之上的台肩区域，并且其中所述导电材料直接抵靠所述台肩区域。

9.根据权利要求8所述的集成组合件，其中除了所述台肩区域的侧壁边缘之外，所述活性材料结构不具有暴露的侧壁边缘。

10.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述导电结构为第一导电结构；其中所述活性材料结构具有位于所述第一导电结构的底表面之下的底表面；并且所述集成组合件进一步包括第二导电结构，所述第二导电结构位于所述活性材料结构的所述底表面下方并且直接抵靠所述活性材料结构的所述底表面。

11.根据权利要求2所述的集成组合件，其包括与所述导电材料电耦合的存储元件。

12.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述存储元件为电容器。

13.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述电容器为铁电电容器。

14.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述电容器为非铁电电容器。

15.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述二维材料包括碳、硼、锗、硅、磷、铋、铟、钼、铂、铼、锡、钨和铪中的一或多种。

16.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述二维材料包括石墨烯、石墨炔、硼墨烯、锗烯、硅烯、Si₂BN、锡烯、磷烯、铋烯、二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨、二硒化钨、二硫化锡、二硫化铼、二硫化铟和二硫化铪中的一或多种。

17.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述二维材料包括由1个至10个单独的层组成的堆叠。

18.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述二维材料包括的厚度在约0.5nm至约5nm的范围内。

19.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述二维材料是基本上完全单晶的。

20.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述活性材料结构为容器形状的。