[发明专利]用于减轻周期性干扰引起的射频负载阻抗变化的设备及调谐方法

说明书

一射频(RF)功率产生系统包括一射频电源，该射频电源产生传送到负载的一射频输出信号。一射频功率控制器被配置为产生一控制信号以改变射频输出信号。该控制器调整与该射频输出信号相关的一参数，并且根据一触发信号控制该参数。根据一成本函数调整该参数，并且通过将一扰动插入到影响该成本函数的一致动器中来确定该成本函数。该致动器可以控制一外部射频输出信号，并且该触发信号可以根据该外部射频输出信号而改变。

相关申请案之交互参照

本申请案主张于2020年11月24日提交的美国专利申请案第17/102,598号的优先权。上述申请案的全部公开内容于此并入全文作为参考。

技术领域

本公开涉及多种射频(RF)产生器系统及多种射频产生器的控制。

背景技术

本说明书中提供的先前技术部分之说明是为了概括地呈现本公开的上下文关系。就当前名列的发明人的研发成果之说明，不论在本先前技术部分中描述，亦或是扩展至实施方式中的描述，可能涉及本案申请时非属适格先前技术的内容，不因其记载于先前技术部分而据以指称发明人已明示或暗示地承认其为本公开的先前技术。

等离子体制造经常用于半导体制造中。在等离子体制造中，多个离子被一电场加速，以从一基板的一表面蚀刻材料或将材料沉积到一基板的一表面上。在一基本的实施方式中，该电场是基于由一功率输送系统的一相应射频或直流产生器产生的射频(RF)或直流(DC)功率信号所产生，必须精确控制该产生器产生的该多个功率信号才能有效地执行等离子体蚀刻。

发明内容

一射频(RF)产生器包括一射频电源，该射频产生器进一步包括一射频功率控制器，耦合到该射频电源，该射频功率控制器被配置为生成一控制信号，以改变来自该射频电源的一射频输出信号，该射频功率控制器被配置为根据一触发信号，调整与该射频输出信号相关的一参数，该参数是响应于该参数的一扰动而根据最小化或最大化成本中的一个来调整。

一种射频(RF)产生器系统，包括一第一电源，该第一电源被配置为将一第一射频信号输出到一负载。该射频产生器系统进一步包括一第二射频产生器。该第二射频产生器进一步包括一第二电源，该第二电源被配置为产生施加到该负载的第一射频信号。该感测射频产生器进一步包括一功率控制器，该功率控制器耦合到该第二电源，该功率控制器被配置为产生一控制信号以改变该第二射频信号，其中该控制信号调整根据该第一射频信号而改变的该第二射频信号的一频率，该频率的调整是响应于该第二射频信号的该频率的一扰动的一成本而改变。

一种用于产生射频(RF)信号的方法，包括：将一功率控制器耦合到一射频电源，控制一第一射频产生器，以输出一第一射频输出信号，调整与将该射频输出信号施加到一负载相关联的一电参数。根据一成本调整该电参数，并且该成本是根据对该电参数的扰动的响应而最小化或最大化中的一种，并且其中相对于一触发信号调整该电参数。

多个实施方式可以包括以下特征中的一个或多个，在该方法中，该成本是根据一反射功率或一反射系数的大小中的一个来确定。在该方法中，根据该成本确定一梯度，并且根据该梯度调整该电参数。在该方法中，该电参数根据以一型样(pattern)配置的多个调整(adjustments)来进行调整。在该方法中，该型样根据一外部射频输出信号的一周期而改变。在该方法中，一外部射频输出信号包括多个仓(bin)，并且其中该参数在每个仓中被扰动。在该方法中，该射频输出信号是施加到一等离子体腔室的一源射频信号，并且该触发信号根据一外部射频输出信号而改变，并且该外部射频输出信号是施加到该等离子体腔室的一偏压射频信号。在该方法中，该射频功率控制器根据该触发信号调整该电参数，其中该触发信号指示一外部射频输出信号的一相对位置。在该方法中，该电参数是一频率或一频偏中的一个，并且该电参数包括由该射频功率控制器用来根据该触发信号以一预定顺序调整电参数的多个相应频率或频偏。在该方法中，根据由一外部射频输出信号引起的一互调失真来调整该电参数。