[发明专利]成像装置和电子设备

说明书

根据本公开的一个实施例的成像装置包括：第一基板，其具有执行光电转换的一个或多个传感器像素；和第二基板，其层叠在所述第一基板上，电连接到所述第一基板，并且具有以完全耗尽模式操作的晶体管。

技术领域

本公开涉及具有三维结构的成像装置和包括该成像装置的电子设备。

背景技术

例如，专利文献1公开了一种成像装置，在该成像装置中，设置有多个固态成像元件的晶片以及设置有存储电路和逻辑电路等的晶片被层叠在一起。

引用文献列表

专利文献

专利文献1：国际公开号WO 2019/087764

发明内容

顺便提及，要求使成像装置小型化。

期望的是，提供均能够实现小型化的成像装置和电子设备。

根据本公开实施例的成像装置包括：第一基板；和第二基板。所述第一基板包括分别执行光电转换的一个或多个传感器像素。所述第二基板层叠在所述第一基板上并电连接到所述第一基板。所述第二基板包括以完全耗尽模式操作的晶体管。

根据本公开实施例的电子设备包括上述根据本公开实施例的成像装置。

在根据本公开实施例的成像装置和根据本实施例的电子设备中，作为设置在层叠在包括一个或多个传感器像素的第一基板上的第二基板中的晶体管，使用以完全耗尽模式操作的晶体管。这减小了第二基板的厚度。

附图说明

图1是示出根据本公开的第一实施例的成像装置的构造的截面示意图。

图2是图1所示的成像装置的示意性构造的分解立体图。

图3A是说明图1所示的成像装置的制造步骤的示例的截面示意图。

图3B是示出图3A之后的步骤的截面示意图。

图3C是示出图3B之后的步骤的截面示意图。

图3D是示出图3C之后的步骤的截面示意图。

图3E是示出图3D之后的步骤的截面示意图。

图3F是示出图3E之后的步骤的截面示意图。

图3G是示出图3F之后的步骤的截面示意图。

图3H是示出图3G之后的步骤的截面示意图。

图3I是示出图3H之后的步骤的截面示意图。

图3J是示出图3I之后的步骤的截面示意图。

图4是示出根据本公开的变形例1的成像装置的构造的示例的截面示意图。

图5是根据本公开的变形例1的成像装置所使用的晶体管的示例的立体图。

图6是示出根据本公开的变形例1的成像装置的构造的另一示例的截面示意图。

图7是示出根据本公开的变形例2的成像装置的构造的示例的截面示意图。

图8是示出根据本公开的变形例3的成像装置的构造的示例的截面示意图。

图9A是说明图8所示的成像装置的制造步骤的示例的截面示意图。

图9B是示出图9A之后的步骤的截面示意图。

图9C是示出图9B之后的步骤的截面示意图。

图9D是示出图9C之后的步骤的截面示意图。

图9E是示出图9D之后的步骤的截面示意图。